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STL24N60DM2 发布时间 时间:2025/7/22 5:30:56 查看 阅读:6

STL24N60DM2是一款由STMicroelectronics制造的N沟道功率MOSFET。该器件专为高电压和高电流应用设计,广泛用于电源转换器、电动机控制、电池管理系统和工业自动化设备中。这款MOSFET采用先进的技术,提供出色的导通电阻和热性能,适用于各种高功率需求的电子系统。

参数

类型:N沟道
  最大漏极电流(ID):24A
  最大漏源电压(VDS):600V
  导通电阻(RDS(on)):0.25Ω
  栅极电压(VGS):±20V
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-220

特性

STL24N60DM2具有多种关键特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))减少了导通损耗,提高了整体效率。此外,高耐压能力(600V)使其适用于高压应用,如开关电源和电机驱动器。该器件的高电流容量(24A)确保了在高负载条件下稳定运行。此外,其坚固的封装设计(TO-220)有助于有效散热,从而提高长期可靠性。该MOSFET还具有良好的抗雪崩击穿能力,能够承受瞬态过电压和过电流条件。最后,其栅极驱动特性优化,减少了开关损耗并提高了响应速度。
  STL24N60DM2的制造采用了STMicroelectronics的先进工艺技术,确保了在各种工作条件下的稳定性和一致性。该器件的参数在制造过程中经过严格测试,以确保符合工业标准。此外,其设计支持快速开关操作,适用于高频开关应用。在实际应用中,STL24N60DM2可以显著减少能量损耗,提高系统效率,并降低散热要求。

应用

STL24N60DM2主要应用于需要高电压和大电流能力的功率电子系统。典型应用包括开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机控制模块、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率开关。此外,该MOSFET还可用于照明控制系统、电动工具和电动汽车的电力管理系统。由于其优异的导通和开关性能,它在需要高效能和高可靠性的应用中表现出色。例如,在电源适配器和电池充电器中,STL24N60DM2能够提供高效的功率转换,同时减少热量生成。在电机控制应用中,该器件能够承受瞬态过载并提供稳定的运行性能。其高耐压能力和抗冲击特性使其适用于恶劣的工作环境。

替代型号

STL28N60DM2, STP24N60DM2, STD24N60DM2

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STL24N60DM2参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥25.84000剪切带(CT)3,000 : ¥12.95052卷带(TR)
  • 系列MDmesh? DM2
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)15A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)220 毫欧 @ 9A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)29 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1055 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)125W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PowerFlat?(8x8)HV
  • 封装/外壳8-PowerVDFN