STL24N60DM2是一款由STMicroelectronics制造的N沟道功率MOSFET。该器件专为高电压和高电流应用设计,广泛用于电源转换器、电动机控制、电池管理系统和工业自动化设备中。这款MOSFET采用先进的技术,提供出色的导通电阻和热性能,适用于各种高功率需求的电子系统。
类型:N沟道
最大漏极电流(ID):24A
最大漏源电压(VDS):600V
导通电阻(RDS(on)):0.25Ω
栅极电压(VGS):±20V
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-220
STL24N60DM2具有多种关键特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))减少了导通损耗,提高了整体效率。此外,高耐压能力(600V)使其适用于高压应用,如开关电源和电机驱动器。该器件的高电流容量(24A)确保了在高负载条件下稳定运行。此外,其坚固的封装设计(TO-220)有助于有效散热,从而提高长期可靠性。该MOSFET还具有良好的抗雪崩击穿能力,能够承受瞬态过电压和过电流条件。最后,其栅极驱动特性优化,减少了开关损耗并提高了响应速度。
STL24N60DM2的制造采用了STMicroelectronics的先进工艺技术,确保了在各种工作条件下的稳定性和一致性。该器件的参数在制造过程中经过严格测试,以确保符合工业标准。此外,其设计支持快速开关操作,适用于高频开关应用。在实际应用中,STL24N60DM2可以显著减少能量损耗,提高系统效率,并降低散热要求。
STL24N60DM2主要应用于需要高电压和大电流能力的功率电子系统。典型应用包括开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机控制模块、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率开关。此外,该MOSFET还可用于照明控制系统、电动工具和电动汽车的电力管理系统。由于其优异的导通和开关性能,它在需要高效能和高可靠性的应用中表现出色。例如,在电源适配器和电池充电器中,STL24N60DM2能够提供高效的功率转换,同时减少热量生成。在电机控制应用中,该器件能够承受瞬态过载并提供稳定的运行性能。其高耐压能力和抗冲击特性使其适用于恶劣的工作环境。
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