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STB11NK50ZT4 发布时间 时间:2025/7/22 5:00:16 查看 阅读:6

STB11NK50ZT4 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的高压MOSFET技术制造,具备高耐压、低导通电阻和高可靠性的特点,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和工业自动化等场合。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(Vds):500V
  漏极电流(Id):11A(Tc=25℃)
  导通电阻(Rds(on)):0.55Ω @ Vgs = 10V
  栅极电压(Vgs):±30V
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装形式:TO-262(表面贴装)

特性

STB11NK50ZT4 MOSFET具有多项优异特性。其高耐压能力(500V)使其适用于高压开关应用,如电源适配器、充电器和逆变器等。低导通电阻(0.55Ω)确保了在高电流下仍能保持较低的导通损耗,从而提高整体能效。此外,该器件具备较强的热稳定性和抗过载能力,在高功率密度应用中表现出色。TO-262封装支持表面贴装工艺,便于自动化生产和良好的散热性能,适用于高功率密度的PCB设计。
  该MOSFET还具有快速开关特性,能够适应高频开关环境,减少开关损耗,提高系统效率。其栅极驱动电压范围较宽(±30V),兼容多种驱动电路设计。同时,该器件通过了多项国际标准认证,具备良好的可靠性和稳定性,适合工业级和汽车级应用需求。

应用

STB11NK50ZT4广泛应用于各类高功率电子系统中。其典型应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机驱动器、逆变器以及工业控制设备。在消费类电子产品如笔记本电脑电源适配器、LED驱动电源、UPS不间断电源系统中也有广泛应用。此外,该器件适用于需要高可靠性和高效能的汽车电子系统,如车载充电器、电池管理系统和电动工具等。

替代型号

STB11NK50ZT4可以替代的型号包括STP12NK50Z、STB12NK50ZT4、IRFBC20、IRFBC30等具有相似电气特性和封装形式的MOSFET器件。在选择替代型号时,应确保其Vds、Id和Rds(on)等关键参数满足应用需求,并注意封装兼容性和散热设计是否适配。

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STB11NK50ZT4参数

  • 其它有关文件STB11NK50Z View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperMESH™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C520 毫欧 @ 4.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs68nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1390pF @ 25V
  • 功率 - 最大125W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-2451-6