型号：IRKD92/06
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（at TC=25°C）：9.4A
　　脉冲漏极电流IDM：32A
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10V：4.7mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5V：6.8mΩ
　　栅极阈值电压VGS(th)：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容Ciss：920pF @ VDS=15V
　　输出电容Coss：290pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间trr：未指定
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PG-SOT23-6 (SOT23-6)

IRKD92/06采用了英飞凌成熟的TrenchFET沟道技术，这种先进的制造工艺通过优化垂直沟道结构显著降低了导通电阻RDS(on)，从而提升了器件的电流承载能力与能量转换效率。该器件在VGS=10V时的最大导通电阻仅为4.7mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，能够有效减少导通损耗，特别适用于大电流、低电压的应用环境，如电池供电设备中的负载开关或同步整流电路。同时，在VGS=4.5V条件下RDS(on)仍保持在6.8mΩ以下，表明其具备良好的低压驱动兼容性，可直接由逻辑电平信号驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。
　　该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），这使得其在高频开关应用中能够实现更快的开关速度和更低的驱动损耗。结合920pF的输入电容（Ciss），器件在PWM调光、DC-DC降压变换器等高频操作中表现出优异的动态响应能力。此外，SOT23-6封装不仅节省PCB空间，还通过外露焊盘增强了散热性能，确保在高负载条件下仍能维持稳定的结温。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，具备出色的热稳定性与环境适应性，满足严苛工业应用的需求。
　　IRKD92/06内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，尽管具体trr参数未明确标注，但其结构优化有助于降低开关过程中的反向恢复电荷，减少开关损耗和电磁干扰（EMI）。此外，该器件具备较强的抗雪崩能力，提高了在瞬态过压情况下的鲁棒性。所有这些特性共同使IRKD92/06成为高性能、紧凑型电源系统中理想的功率开关元件。

IRKD92/06广泛应用于需要高效、小尺寸功率开关的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池充电回路与负载开关控制。由于其低导通电阻和高电流能力，常被用于同步整流型DC-DC降压变换器中作为下管或上管使用，尤其适用于12V或5V转3.3V、1.8V等低压供电轨的设计，帮助提高转换效率并延长电池续航时间。
　　在工业自动化与嵌入式控制系统中，该器件可用于驱动继电器、LED阵列或小型直流电机，凭借其快速开关响应和低静态功耗优势，能够在频繁启停的控制任务中保持高可靠性。此外，在服务器和通信设备的多相电压调节模块（VRM）中，IRKD92/06可作为功率级的一部分，参与核心处理器或多芯片模块的供电方案。
　　由于其SOT23-6封装具备良好的手工焊接与回流焊兼容性，也适合中小批量生产和原型开发。在热插拔控制器、热管理开关和冗余电源切换电路中，该MOSFET同样发挥着关键作用，提供低损耗、高可靠性的功率通断功能。总体而言，IRKD92/06适用于任何对效率、尺寸和热性能有较高要求的低压大电流开关场合。

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