时间：2025/10/27 16:09:45
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IRKD71-04是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，专为高效率开关应用设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及电机控制等领域。该器件采用先进的沟槽栅极技术，结合硅片优化工艺，能够在低导通电阻和快速开关特性之间实现良好平衡。IRKD71-04的工作电压等级为40V，最大连续漏极电流可达21A（在25°C条件下），适合用于中等功率的电源系统中。其封装形式为PG-TSDSON-8（也称为TSDSON-8或SuperSO8），具有较小的尺寸和优良的热性能，便于在空间受限的应用中使用。
该MOSFET特别适用于需要高功率密度和高能效的设计场景，例如笔记本电脑适配器、服务器电源、LED驱动电路以及电池管理系统等。器件具备良好的栅极电荷特性，有助于降低开关损耗，从而提升整体系统效率。此外，IRKD71-04还内置了二极管反向恢复保护机制，提高了在感性负载下的工作可靠性。产品符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级认证，表明其具备在汽车电子环境中稳定运行的能力，适用于车载充电系统或车身控制模块等应用。
类型：N沟道
极性：增强型
漏源电压（Vds）：40V
漏极电流（Id）@25℃：21A
漏极脉冲电流（Idm）：84A
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻Rds(on)@Vgs=10V：1.8mΩ
导通电阻Rds(on)@Vgs=4.5V：2.7mΩ
阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
输入电容（Ciss）：1920pF @ Vds=20V
输出电容（Coss）：630pF @ Vds=20V
反向恢复时间（trr）：28ns
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装/引脚数：PG-TSDSON-8 / 8引脚
IRKD71-04的核心优势在于其低导通电阻与优异的开关性能之间的高度平衡，这使得它在高频率开关电源应用中表现出色。器件采用英飞凌先进的沟槽栅极技术和超结结构优化设计，显著降低了导通损耗和开关损耗，提升了整体能效。其Rds(on)在Vgs=10V时仅为1.8mΩ，在同类40V N沟道MOSFET中处于领先水平，意味着在大电流传输过程中产生的热量更少，有利于提高系统的功率密度并减少散热需求。
该器件具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），这对于高频PWM控制尤为重要。低Qg意味着驱动电路所需的驱动能量更小，从而可以使用更低功耗的驱动IC或简化驱动电路设计，尤其适用于由控制器直接驱动的同步整流拓扑。同时，其输出电容Coss较小，进一步减少了开关过程中的能量损耗，提升了转换效率。
热性能方面，PG-TSDSON-8封装采用裸露焊盘设计，能够有效将芯片热量传导至PCB地层，实现高效散热。即使在紧凑型布局下也能维持稳定的结温，确保长期可靠运行。此外，该封装支持表面贴装工艺，适用于自动化SMT生产线，有助于提升制造效率和一致性。
IRKD71-04还具备出色的抗雪崩能力和稳健的短路耐受能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。其经过严格测试，符合AEC-Q101标准，可在严苛的温度循环、湿度和振动环境下保持稳定性能，因此不仅适用于工业级设备，也可用于对可靠性要求较高的汽车电子系统。
IRKD71-04广泛应用于多种高效率电源系统中。典型应用场景包括同步降压变换器（Buck Converter），尤其是在多相VRM（电压调节模块）中作为下管或上管使用，用于CPU、GPU或ASIC供电，凭借其低Rds(on)和快速响应特性，可有效降低导通损耗并提升动态响应速度。
在DC-DC电源模块中，该器件常用于隔离式和非隔离式拓扑结构中的主开关或同步整流器，特别是在48V转12V中间母线转换器中表现优异。此外，在电池管理系统（BMS）中，可用于充放电回路的开关控制，提供低损耗的电流路径。
该MOSFET也适用于电机驱动应用，如风扇、泵类或小型伺服系统的H桥驱动电路，其快速开关能力和低导通压降有助于减少发热并提高扭矩输出稳定性。
在汽车电子领域，IRKD71-04可用于车载信息娱乐系统电源、ADAS传感器供电单元或电动座椅/车窗控制模块。由于通过AEC-Q101认证，其在高温环境下的长期可靠性得到保障。
此外，在LED照明驱动、USB PD快充适配器、工业PLC电源等需要高集成度和高效率的场合，IRKD71-04均能提供可靠的性能支持。
IRLHS71-04
BSC023N04LS
IPD75N04S4L
