IRKD132-04 时间：2025/12/26 21:17:03 阅读：13

IRKD132-04是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，专为高效率、高性能的电源管理应用而设计。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、优异的开关特性和良好的热性能，适用于多种开关电源拓扑结构。IRKD132-04特别适合在需要紧凑封装和高效能转换的应用中使用，例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理系统等。该MOSFET采用PG-VSON-8（Power Green Very Small Outline Narrow）封装，尺寸小巧，有助于节省PCB空间，同时支持表面贴装工艺，便于自动化生产。器件符合RoHS环保标准，并具备良好的可靠性和长期稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。其栅极阈值电压适中，可与常见的逻辑电平驱动信号兼容，提升了系统设计的灵活性。此外，该器件还具备较低的输入和输出电容，有助于减少开关损耗，提高整体能效。由于其出色的电气特性与紧凑的封装形式，IRKD132-04广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备及便携式电源系统中。

参数

型号：IRKD132-04
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：40V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：9.7A
　　脉冲漏极电流IDM：39A
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10V：6.8mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5V：9.7mΩ
　　栅极阈值电压VGS(th) @ ID = 250μA：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容Ciss：870pF @ VDS = 20V
　　输出电容Coss：290pF @ VDS = 20V
　　反向传输电容Crss：60pF @ VDS = 20V
　　栅极电荷Qg @ VGS = 10V, ID = 9.7A：12nC
　　功耗Ptot：1.8W
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PG-VSON-8
　　安装方式：表面贴装SMD

特性

IRKD132-04采用英飞凌先进的沟槽栅极技术和超结结构优化设计，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其最大RDS(on)在VGS=10V时仅为6.8mΩ，在VGS=4.5V时也仅为9.7mΩ，这使得器件在低电压驱动条件下仍能保持高效的导通能力，显著降低了传导损耗，提高了系统的整体效率。器件的栅极电荷Qg低至12nC（典型值），意味着在高频开关应用中所需的驱动能量更少，从而减少了开关损耗并提升了电源转换效率。此外，输入电容Ciss为870pF，输出电容Coss为290pF，这些较低的寄生电容参数进一步增强了其高速开关能力，适用于高频率工作的DC-DC变换器和同步整流电路。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性和散热性能，得益于其PG-VSON-8封装内置的暴露焊盘设计，能够有效将热量从芯片传导至PCB，提升功率密度和可靠性。器件的工作结温范围可达-55°C至+150°C，确保在严苛环境下的长期稳定运行。同时，其栅极阈值电压范围为1.0V~2.0V，允许使用3.3V或5V逻辑电平直接驱动，无需额外的电平转换电路，简化了驱动设计并降低了系统成本。器件还具备较强的抗雪崩能力和良好的dv/dt抑制能力，增强了在瞬态负载变化或短路情况下的鲁棒性。此外，IRKD132-04通过了AEC-Q101汽车级可靠性认证，表明其在振动、湿度、温度循环等恶劣条件下的耐久性表现优异，因此不仅可用于工业领域，也可用于车载电子系统中的低压电源管理模块。

应用

IRKD132-04广泛应用于需要高效率和小尺寸功率开关的各种电子系统中。典型应用场景包括同步降压转换器中的上下桥臂开关，尤其适用于多相VRM（电压调节模块）设计，为CPU、GPU或ASIC供电；在DC-DC电源模块中作为主开关器件，实现高效的电压转换；在电池供电设备如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中用于负载开关或充放电管理电路，以降低待机功耗并提升续航能力；在电机驱动电路中作为H桥结构的一部分，控制小型直流电机或步进电机的正反转与调速；在LED背光驱动和恒流源电路中提供精确的电流控制；在热插拔控制器和电源路径管理单元中实现快速响应的通断控制；此外，该器件还可用于工业PLC、传感器电源、PoE（以太网供电）受电设备以及USB PD电源适配器等场合。由于其封装紧凑且支持回流焊工艺，非常适合高密度布局的便携式和嵌入式系统设计。