时间：2025/9/12 10:30:41
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KF4N20LW-RTK是一款由Korean公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源管理应用而设计。该器件采用了先进的平面技术，具备较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于各种电源转换器、负载开关以及电机控制等应用领域。KF4N20LW-RTK封装形式为TO-252（DPAK），便于在各种电路板上安装和散热。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：200V
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：4A
功耗(Pd)：50W
导通电阻(Rds(on))：≤3.5Ω（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
KF4N20LW-RTK具有多项优良特性，使其在功率MOSFET市场中占据一席之地。首先，其漏极-源极电压为200V，适用于中高电压应用，能够满足多种电源转换需求。其次，连续漏极电流为4A，确保该器件在较高负载条件下依然能够稳定运行。此外，导通电阻Rds(on)在Vgs=10V时最大为3.5Ω，较低的导通电阻有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。
该MOSFET采用TO-252封装，具备良好的散热性能，适合表面贴装工艺，便于自动化生产和维护。其工作温度范围为-55°C至150°C，能够在恶劣的环境条件下稳定工作。栅极-源极电压为±20V，提供了较宽的控制电压范围，增强了使用的灵活性和安全性。
KF4N20LW-RTK还具有快速开关特性，减少了开关损耗，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和马达驱动电路等。该器件的设计优化了开关性能和导通损耗之间的平衡，从而提升了整体系统的能效表现。
KF4N20LW-RTK适用于多个领域的电子设备和系统，尤其在电源管理和功率控制方面表现出色。常见应用包括AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器以及各种工业控制设备。此外，该MOSFET也可用于电池管理系统（BMS）、LED照明驱动电路以及家用电器中的电源控制模块。
在电源适配器和转换器中，KF4N20LW-RTK可用于主开关或同步整流器件，提高电源转换效率并减少发热。在马达驱动应用中，该器件可用于控制马达的启停和调速，提供可靠的功率控制能力。在电池管理系统中，KF4N20LW-RTK可用于电池充放电控制，确保电池组的安全运行。同时，由于其优异的开关特性和稳定性，也广泛应用于高频逆变器和光伏逆变系统中。
IRF740、2SK2545、2SK1118、SiHF4N20E、FQP4N20C
