时间：2025/12/26 18:52:18
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IRGS4B60KD1是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的N沟道功率MOSFET，专为高频开关应用设计，广泛用于电源管理、DC-DC转换器以及电机控制等场景。该器件采用先进的沟槽式场截止技术（TrenchSTOP?），具备低导通电阻（RDS(on)）、高开关效率和良好的热稳定性等特点。其额定电压为600V，最大连续漏极电流可达4.3A，在高温环境下仍能保持优异的性能表现。IRGS4B60KD1封装形式为TO-220，具备良好的散热能力和机械强度，适合工业级应用需求。该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），有助于降低开关损耗，提升系统整体能效。此外，器件内部集成快速体二极管，适用于需要反向电流续流的应用场合，如PFC电路和逆变器。由于其高可靠性和成熟的技术平台，IRGS4B60KD1在消费类电源、工业电源模块及照明驱动中得到了广泛应用。
型号：IRGS4B60KD1
制造商：Infineon Technologies
晶体管类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
连续漏极电流（ID）@25°C：4.3A
脉冲漏极电流（IDM）：17.2A
导通电阻 RDS(on) @10V VGS：1.2Ω（最大值）
栅源阈值电压（VGS(th)）：3V～5V
栅极电荷（Qg）：38nC（典型值）
输入电容（Ciss）：1100pF @25°C
输出电容（Coss）：190pF @25°C
反向恢复时间（trr）：55ns
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
IRGS4B60KD1采用了英飞凌独有的TrenchSTOP? 沟槽型场截止工艺技术，这种结构通过优化电场分布显著提升了器件的击穿电压能力与导通性能之间的平衡。相较于传统的平面型MOSFET，TrenchSTOP? 技术能够在相同芯片面积下实现更低的RDS(on)，从而有效减少导通损耗，提高系统效率。该器件在600V高压应用中表现出色，尤其适合用于连续导通模式（CCM）或临界导通模式（CrM）的功率因数校正（PFC）电路中。其低栅极电荷（Qg）特性使得驱动功耗大幅降低，配合较小的输入电容（Ciss），可实现更快的开关速度，适用于频率高达100kHz以上的开关电源设计。
该MOSFET具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，能够在瞬态过载或短路条件下维持较长时间的安全运行，增强了系统的鲁棒性。其体二极管具有较快的反向恢复时间（trr约为55ns），能够有效抑制反向恢复电流尖峰，减少电磁干扰（EMI）并防止电压振荡，这在桥式拓扑或感性负载切换中尤为重要。此外，TO-220封装提供了优良的散热路径，确保在高功率密度应用中结温不会迅速上升，延长了器件寿命。
IRGS4B60KD1还具备较高的dv/dt耐受能力，减少了因电压突变引起的误触发风险，提高了系统在复杂电磁环境下的可靠性。其栅极阈值电压范围适中（3V～5V），兼容标准逻辑电平驱动信号，便于与PWM控制器直接接口。综合来看，该器件在效率、可靠性与易用性之间实现了良好平衡，是中等功率开关电源中的理想选择之一。
IRGS4B60KD1主要应用于需要高效、高电压开关操作的电力电子系统中。常见使用场景包括离线式开关电源（SMPS），特别是在AC-DC转换器中作为主开关管或PFC升压开关使用。其600V耐压等级正好匹配通用输入电压范围（85VAC～265VAC）下的整流后母线电压，因此非常适合用于台式电脑电源、服务器电源、电视电源板等消费类和工业类电源产品。
此外，该器件也广泛用于LED照明驱动电源，尤其是在高功率LED恒流驱动方案中，利用其低导通损耗和快速开关特性来提升光效并减少发热。在光伏逆变器和小型UPS（不间断电源）系统中，IRGS4B60KD1可用于DC-DC升压级或辅助电源模块，提供稳定的能量转换路径。
在电机控制领域，该MOSFET可作为小功率直流电机或步进电机的驱动开关元件，尤其适用于家电中的风扇控制、水泵驱动等应用场景。其集成的快速体二极管可在电机断电时提供可靠的续流通道，保护主控电路免受反电动势冲击。同时，该器件也可用于感应加热、电子镇流器和电池充电器等需要高压开关功能的设备中，展现出良好的适应性和稳定性。
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STP4NK60ZFP
FQA4N60C
