HMC536LP2E是Hittite公司(现为Analog Devices的一部分)推出的一款宽带GaAs MMIC低噪声放大器芯片。该器件采用SMT封装,工作频率范围为10 MHz至4 GHz,非常适合需要高增益、低噪声和宽频带的应用场景。HMC536LP2E内置匹配网络,简化了设计并减少了外部元件需求,适用于无线通信基础设施、测试设备、微波无线电和其他高频应用。
型号:HMC536LP2E
制造商:Analog Devices (原Hittite)
封装:LP2E (2x2 mm SMT)
工作电压:+5 V
静态电流:95 mA
增益:17 dB
噪声系数:1.5 dB
输入回波损耗:15 dB
输出回波损耗:15 dB
最大输出功率(1 dB增益压缩点):+18 dBm
隔离度:20 dB
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
HMC536LP2E具有出色的宽带性能,在10 MHz至4 GHz的频率范围内提供恒定的增益和低噪声特性。
其内部集成有源偏置电路,确保在不同温度和工艺变化下保持稳定的性能。
由于采用了先进的GaAs PHEMT工艺,该器件能够在高频条件下实现高效率和低失真。
HMC536LP2E的紧凑型SMT封装使其易于集成到各种射频和微波系统中,同时具备良好的热性能。
此外,该芯片的低功耗设计有助于延长电池寿命或降低散热要求。
HMC536LP2E广泛应用于多种高频领域:
1. 无线通信基础设施中的接收机前端放大器。
2. 频谱分析仪、信号发生器等测试测量设备的关键组件。
3. 军用雷达系统和卫星通信中的高性能放大器。
4. 微波链路和点对点无线电系统的信号增强。
5. 工业、科学和医疗设备中的高频信号处理模块。
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