时间：2025/9/14 12:48:32
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NZH12B,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）制造的双极性晶体管（BJT），属于 NPN 类型的晶体管。该器件适用于各种通用和高频率开关应用。它具有良好的热稳定性和较高的电流承载能力，因此在电源管理、信号放大和开关电路中表现出色。这款晶体管采用 SOT23 封装形式，便于在小型电路板上安装。此外，其优异的电气特性和可靠性使其成为许多工业、消费电子和汽车应用中的首选组件。
类型：NPN 晶体管
集电极-发射极电压（VCEO）：100V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功耗（PD）：300mW
增益带宽积（fT）：100MHz
直流电流增益（hFE）：110（最小值）至 800（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT23
NZH12B,115 具有多个显著的电气和物理特性，使其在多种电子应用中表现出色。首先，其较高的集电极-发射极击穿电压（VCEO）为 100V，使得该晶体管能够在相对高压的环境中稳定工作，适用于中等功率的开关和放大电路。其次，晶体管的最大集电极电流为 100mA，足以满足大多数低功率应用的需求，同时避免了对额外散热措施的依赖。此外，该器件的增益带宽积（fT）高达 100MHz，意味着它能够在高频信号放大和处理中保持良好的性能，适用于射频和高速开关应用。直流电流增益（hFE）的范围为 110 至 800，具有较高的灵活性，适应不同的电路设计需求。其 SOT23 封装形式不仅小巧，而且具有良好的热性能，有助于提高电路板的集成度。NZH12B,115 还具有优良的热稳定性和可靠性，能够在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内稳定工作，适用于工业和汽车等恶劣环境。此外，该晶体管的功耗较低，最大功耗为 300mW，有助于提高整体系统的能效。
由于其优良的电气特性和封装形式，NZH12B,115 被广泛应用于多个领域。首先，在消费电子产品中，如便携式设备、音频放大器和传感器电路中，该晶体管可以作为信号放大器或开关元件使用。其次，在工业自动化和控制系统中，该器件可用于驱动继电器、LED 显示器或其他数字逻辑电路。此外，它在通信设备中也扮演重要角色，如在射频前端电路和数据转换器中作为放大器或开关使用。汽车电子领域也是该晶体管的重要应用领域，包括车身控制模块、车载娱乐系统和车载传感器等。最后，由于其良好的高频性能，NZH12B,115 也可用于无线通信模块、RFID 阅读器和低功耗无线传感器网络中的信号处理和放大。
BC847, BC817, 2N3904, MMBT3904
