型号：IRGPS46160D
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：N沟道功率MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650 V
　　漏极电流（Id @ 25°C）：48 A
　　最大导通电阻（Rds(on) max）：80 mΩ
　　栅极电荷（Qg）：185 nC
　　输入电容（Ciss）：5300 pF
　　开启延迟时间（td(on)）：32 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：58 ns
　　反向恢复时间（trr）：59 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

IRGPS46160D采用了英飞凌先进的TrenchSTop技术和超结（Superjunction）结构，这一设计显著降低了器件的导通电阻与开关损耗之间的权衡关系，从而实现了极高的能效表现。其80mΩ的低Rds(on)值确保了在大电流条件下仍能保持较低的导通损耗，这对于提高电源系统的整体效率至关重要。同时，该器件具备高达650V的漏源击穿电压，能够安全地应用于各种中高压电源拓扑中，如LLC谐振转换器、有源钳位反激式变换器以及全桥/半桥拓扑等。其185nC的栅极电荷水平适中，在保证快速开关响应的同时，避免了过高的驱动损耗，使控制器设计更加灵活。
　　该MOSFET具有出色的动态性能，包括快速的开启和关断响应时间（分别为32ns和58ns），这有助于减少开关过程中的重叠损耗，提升高频工作的可行性。此外，其反向恢复时间（trr）仅为59ns，配合优化的体二极管特性，有效降低了在连续导通模式（CCM）PFC电路或桥式电路中因反向恢复引起的电磁干扰和尖峰电压问题，提升了系统的EMI性能和可靠性。器件还具备良好的热阻特性，TO-247封装提供了优良的散热路径，使得即使在高负载条件下也能维持较低的工作温度，延长使用寿命。
　　IRGPS46160D具有高抗雪崩能量能力，能够在瞬态过压或电感负载突变情况下承受一定的应力而不损坏，增强了整个系统的鲁棒性。该器件还通过了严格的质量认证，符合工业级可靠性标准，适用于严苛环境下的长期运行。其内部结构经过优化，减少了寄生参数的影响，提高了器件在高频开关应用中的稳定性。此外，该MOSFET支持并联使用，多个器件可并联以承载更大电流，适用于高功率等级的设计需求，且由于参数一致性好，均流效果理想。
　　总体而言，IRGPS46160D凭借其低导通电阻、高耐压、快速开关特性以及可靠的封装设计，成为现代高效能电源系统中的优选器件。它不仅满足了绿色能源和节能设备对高效率的要求，同时也为工程师提供了更大的设计自由度，特别是在追求小型化、轻量化和高功率密度的电源产品开发中展现出显著优势。

IRGPS46160D广泛应用于多种高效率、高功率密度的电力电子系统中。典型应用包括服务器电源、通信电源、工业用开关电源（SMPS）、太阳能光伏逆变器、电动汽车充电设备、不间断电源（UPS）、焊接电源以及电机驱动控制系统。此外，该器件也适用于各类DC-DC升压/降压转换器、PFC（功率因数校正）电路，尤其是在连续导通模式（CCM）和临界导通模式（CrM）下工作的Boost PFC拓扑中表现优异。由于其优异的开关特性和热稳定性，IRGPS46160D还可用于高频LLC谐振转换器、全桥和半桥拓扑结构中的主开关元件，满足现代数字电源对高效率和高可靠性的双重需求。在新能源领域，如储能系统和微网逆变器中，该器件同样发挥着重要作用，支持清洁能源的高效转换与利用。

IPW65R190CFD
　　SPW47N60C3
　　STF6N65M2
　　IKW40N65RH5