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IRFZ44NSPBF 发布时间 时间:2025/6/19 19:06:16 查看 阅读:23

IRFZ44NSPBF是一款N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的电路中。该器件采用TO-220封装形式,具有低导通电阻和较高的电流承载能力。

参数

最大漏源电压:55V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:49A
  导通电阻:17.5mΩ
  总功耗:169W
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

IRFZ44NSPBF具备优秀的电气性能和可靠性。
  1. 低导通电阻使得在高电流应用中能够有效降低功率损耗。
  2. 较高的电流承载能力支持大功率应用场景。
  3. 快速开关速度减少开关损耗,提高效率。
  4. 具备良好的热稳定性,可在较宽的工作温度范围内正常运行。
  5. TO-220封装形式便于散热设计,适合多种安装方式。
  6. 高可靠性设计确保长期稳定运行。

应用

IRFZ44NSPBF适用于以下领域:
  1. 开关电源. 直流电机驱动与控制。
  3. DC-DC转换器。
  4. 电池充电管理系统。
  5. 各种工业电子设备中的功率管理模块。
  6. LED照明驱动电路。
  7. 热插拔保护电路等。

替代型号

IRFZ44N, STP40NF06L, FDP18N06

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IRFZ44NSPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C49A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C17.5 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs63nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1470pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFZ44NSPBF