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A1454KLETR-4N-T 发布时间 时间:2025/7/30 2:57:43 查看 阅读:34

A1454KLETR-4N-T是一款由Alliance Memory公司生产的低功耗、高性能的异步静态随机存取存储器(SRAM)集成电路。该芯片采用CMOS技术制造,具有高速访问时间和低功耗特性,适用于需要快速数据存取的嵌入式系统和工业控制设备。

参数

容量:256Kbit
  组织结构:32K x 8
  电源电压:2.3V至3.6V
  访问时间:10ns(最大)
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数量:52
  封装尺寸:12mm x 20mm
  封装材料:塑料
  接口类型:并行
  数据总线宽度:8位
  时钟频率:异步操作

特性

A1454KLETR-4N-T SRAM芯片具备多项显著特性。首先,其高速访问时间仅为10ns,使得该芯片适用于对响应时间要求较高的系统。其次,该芯片采用了CMOS工艺,不仅提升了芯片的稳定性,还有效降低了功耗,使得其在待机模式下功耗极低。此外,A1454KLETR-4N-T支持宽电压范围供电(2.3V至3.6V),使其能够适应多种电源管理方案,提高了系统设计的灵活性。
  该芯片支持异步操作模式,适合用于不需要时钟同步的系统架构中,减少了控制器的复杂度和成本。其TSOP封装结构紧凑,适合在空间受限的PCB设计中使用。同时,工作温度范围覆盖-40°C至+85°C,满足工业级应用环境的需求,广泛应用于工业自动化、通信设备、消费电子产品及车载系统等领域。
  另外,A1454KLETR-4N-T具有高可靠性和长寿命特性,适合用于需要长时间稳定运行的系统。其数据保持功能在断电状态下仍然能够维持存储数据,只要系统处于待机模式并保持供电,数据不会丢失。该芯片还具备较强的抗干扰能力,能够在复杂电磁环境中稳定工作。

应用

A1454KLETR-4N-T主要用于需要快速数据存取的嵌入式系统,例如工业控制器、通信模块、网络设备、打印机、医疗仪器以及消费类电子产品中的缓存存储器。其高速与低功耗特性也使其适用于便携式设备和远程传感器节点等应用场合。

替代型号

AS7C3256KPTR-10TCN、CY62148EVLL-45ZE3、IS62WV2568EBLL-45BLI、EM68256ALTS-10B、HM62256BLP-10

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A1454KLETR-4N-T参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥21.78000剪切带(CT)4,000 : ¥8.81485卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术霍尔效应
  • 单路
  • 输出类型I2C
  • 感应范围-
  • 电压 - 供电2.65V ~ 3.5V
  • 电流 - 供电(最大值)5mA
  • 电流 - 输出(最大值)-
  • 分辨率-
  • 带宽2kHz
  • 工作温度-40°C ~ 125°C(TA)
  • 特性睡眠模式,温度补偿
  • 供应商器件封装8-TSSOP
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)