型号：DE28F800F3B95
　　制造商：Intel / Micron
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：64 Mbit (8 MByte)
　　电源电压：2.7V 至 3.6V
　　接口类型：并行（8位）
　　访问时间：最大90ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：TSOP3-56
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　写保护功能：硬件WP#引脚支持
　　擦除方式：扇区/块擦除
　　数据保持期：典型值10年
　　耐久性：每个扇区可承受至少10万次擦写周期
　　总线宽度：8位（x8模式）
　　待机电流：典型值10 μA
　　读取电流：典型值30 mA
　　编程/擦除电流：典型值50 mA
　　地址周期数：22位地址总线
　　JEDEC标准兼容：是
　　可靠性监控：内置ECC与错误管理机制

DE28F800F3B95 采用Intel专有的StrataFlash技术，这是一种基于NOR Flash架构的多级存储技术，允许每个存储单元存储多个比特的数据，从而在不增加物理尺寸的前提下大幅提升存储密度。这一特性使得该芯片在保持小型化的同时，能够满足日益增长的固件存储需求。其内部结构被划分为多个独立可擦除的扇区（sector），支持细粒度的数据管理，用户可以选择仅擦除需要更新的部分，避免对整个芯片进行大规模操作，提高了系统的响应速度和能效表现。
　　该芯片具备强大的命令集支持，可通过标准的写入指令实现读取、编程、块擦除、挂起/恢复操作等功能。内部集成的状态机能够自动执行编程和擦除过程中的高压生成、定时控制及验证步骤，无需外部控制器干预，简化了软件设计复杂度。此外，DE28F800F3B95 提供了硬件写保护引脚（WP#），可在物理层面防止意外修改关键数据区域，增强了系统的安全性与稳定性。
　　在性能方面，DE28F800F3B95 支持快速随机读取访问，典型访问时间低至90ns，非常适合用于直接从Flash执行代码（XIP, eXecute In Place）的应用场景，如嵌入式操作系统启动、Bootloader存储等。其低功耗设计也使其适用于电池供电或对能耗敏感的设备。芯片还具备优异的环境适应能力，在-40°C至+85°C的宽温范围内均可稳定工作，符合工业级应用要求。
　　为了提升数据可靠性，该器件内置了错误检测与纠正（ECC）机制，并支持软件查询内部状态寄存器以获取操作完成状态或错误信息，便于系统实时监控Flash运行情况。同时，其制造工艺遵循严格的品质控制流程，确保产品具有长达10年的数据保持能力和超过10万次的擦写寿命，适用于长期部署且维护困难的应用场合。

DE28F800F3B95 广泛应用于各类需要高可靠性和中等容量非易失性存储的嵌入式系统中。其典型应用场景包括工业自动化控制系统，例如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和远程I/O模块，这些系统通常依赖于稳定的固件存储来保证连续运行，而DE28F800F3B95 提供的快速读取能力和抗干扰特性恰好满足此类需求。
　　在网络通信领域，该芯片常用于路由器、交换机、防火墙等网络设备中，作为Boot ROM或配置存储器使用，用于存放启动代码、操作系统映像或设备配置参数。由于其支持XIP（就地执行）功能，CPU可以直接从Flash中读取并执行指令，无需将程序加载到RAM中，节省了内存资源并加快了启动速度。
　　在消费类电子和医疗设备中，DE28F800F3B95 也被用于存储固件、校准数据或用户设置信息。其宽温工作能力和高耐久性使其能够在恶劣环境中长期稳定运行，适用于户外设备、车载信息系统或便携式医疗监测仪器。
　　此外，该芯片还可用于测试测量仪器、POS终端、安防监控设备以及航空航天电子系统中，作为关键数据的持久化存储介质。得益于其标准化的并行接口和广泛的开发工具支持，工程师可以快速完成硬件设计与驱动开发，缩短产品上市周期。

MT28F008J3
　　S29GL064N90TF104
　　AM29LV081B