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IRFZ35 发布时间 时间:2025/12/26 20:16:29 查看 阅读:10

IRFZ35是一款由英飞凌科技(Infineon Technologies)生产的N沟道功率MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、电机控制、逆变器以及其他需要高效功率转换的电子系统中。该器件采用先进的沟槽栅极技术制造,具备低导通电阻和高电流处理能力,能够在较高的频率下实现高效的开关操作。IRFZ35因其良好的热稳定性和可靠性,在工业控制、消费电子和汽车电子等领域有着广泛应用。其封装形式通常为TO-220,便于安装在散热器上以增强散热性能,适用于需要持续高功率运行的应用场景。该MOSFET的设计注重于降低开关损耗和导通损耗,从而提高整体系统效率,并减少对外部散热装置的依赖。此外,IRFZ35具备较强的抗雪崩能力和过载承受能力,能够在瞬态负载或异常工作条件下保持稳定运行,提升了系统的鲁棒性。

参数

型号:IRFZ35
  极性:N沟道
  漏源电压VDS:55 V
  连续漏极电流ID:28 A
  脉冲漏极电流IDM:110 A
  导通电阻RDS(on):40 mΩ @ VGS = 10 V
  栅极阈值电压VGS(th):2.0 V ~ 4.0 V
  最大功耗PD:94 W
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装类型:TO-220

特性

IRFZ35具备优异的电气性能和热管理能力,其核心优势在于低导通电阻RDS(on),典型值仅为40毫欧姆(在VGS = 10V时),这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗,提高了系统的整体能效。该特性尤其适合用于大电流应用场景,如直流电机驱动、电池管理系统以及开关模式电源(SMPS)中,能够有效减少发热并提升能量转换效率。
  该MOSFET采用了先进的沟槽栅结构设计,不仅优化了载流子迁移路径,还增强了单位面积内的电流密度,从而实现了更高的电流承载能力和更快的开关速度。这种结构有助于减少开关过程中的过渡时间,降低开关损耗,特别适用于高频开关应用,例如DC-DC变换器和逆变电路。
  IRFZ35具有良好的热稳定性,结温最高可达175°C,能够在高温环境下长期可靠运行。其TO-220封装提供了优良的热传导路径,便于通过外接散热片将热量快速散发到环境中,确保器件在高负载条件下仍能维持安全的工作温度。
  此外,该器件具备较强的抗雪崩击穿能力,能够承受一定程度的电感负载断开时产生的反向电动势,避免因电压尖峰导致的永久性损坏。这一特性增强了其在电机控制等存在感性负载的应用中的耐用性和安全性。
  IRFZ35还具备较低的输入电容和输出电容,减少了驱动电路所需的驱动功率,使得它能够与常见的逻辑电平驱动器或专用MOSFET驱动IC良好匹配,简化了外围电路设计。其栅极阈值电压范围适中(2.0V至4.0V),支持多种控制信号电平,包括微控制器直接驱动的可能性,进一步提升了系统集成度与灵活性。

应用

IRFZ35常用于各类需要高效功率开关控制的电子系统中。典型应用包括开关电源(SMPS),尤其是在AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关元件,利用其低导通电阻和快速开关特性来提高电源效率并减小体积。在电机控制系统中,无论是直流有刷电机还是步进电机驱动,IRFZ35都能提供稳定的高电流输出能力,适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备中的驱动模块。
  该器件也广泛应用于逆变器系统,如太阳能逆变器或UPS不间断电源中,用于实现直流到交流的电能转换。其高耐压和大电流特性使其能够承受较大的负载波动,并在频繁开关过程中保持高效运行。
  此外,IRFZ35可用于电池供电系统中的电源管理单元,例如便携式设备或电动车充电控制电路,执行充放电开关控制功能。其良好的热性能和可靠性也使其适用于汽车电子领域,如车载照明控制、风扇驱动和继电器替代方案。
  在工业控制领域,IRFZ35可作为固态继电器的核心开关元件,取代传统机械继电器,实现无触点、长寿命的控制方式。同时,由于其具备一定的抗浪涌和抗干扰能力,适合在电磁环境复杂的工业现场稳定工作。

替代型号

IRFZ34N, IRF3205, FQP27N06L

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