IXYX100N120B3 时间：2025/8/6 0:13:04 阅读：30

IXYX100N120B3是一款由IXYS公司制造的高性能功率MOSFET模块，适用于高电流、高电压的应用场景。该模块采用了先进的沟槽栅极技术和场截止（Field Stop）绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术，提供卓越的开关性能和导通损耗的优化。这款MOSFET模块在工业电机控制、可再生能源系统、电力转换器等领域具有广泛应用。

参数

类型：IGBT模块
　　最大集电极-发射极电压：1200V
　　最大集电极电流：100A
　　导通压降：约2.1V（典型值）
　　最大工作温度：150°C
　　封装形式：B3模块封装
　　短路耐受能力：支持
　　热阻：约0.38K/W（结到外壳）
　　绝缘耐压：2500V

特性

IXYX100N120B3具备优异的热管理性能，模块的低热阻设计使其能够在高负载条件下保持稳定的运行温度。
　　该模块采用了先进的IGBT芯片技术，显著降低了导通压降和开关损耗，提高了系统的整体效率。
　　其高短路耐受能力增强了在严苛环境下的可靠性，适合于对稳定性要求极高的工业应用。
　　模块的B3封装形式具有良好的机械强度和绝缘性能，确保在高电压应用中的安全性和稳定性。
　　此外，该器件具有优异的电磁兼容性（EMC），能够减少对外部电路的干扰，提高系统的抗干扰能力。

应用

IXYX100N120B3广泛应用于工业电机驱动器、逆变器和变频器等电力电子设备中。
　　在可再生能源系统中，如太阳能逆变器和风力发电变流器中，该模块可以实现高效的能量转换。
　　此外，它还可用于电能质量调节设备，如不间断电源（UPS）和电力补偿装置。
　　在电动汽车领域，该模块可用于车载充电器和电驱系统中，提供高效率和高可靠性的解决方案。
　　由于其优异的短路保护能力和热稳定性，也适用于需要频繁开关操作的高功率负载控制系统。