时间：2025/9/14 12:28:20
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BUK664R6-40C,118 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款高性能N沟道功率MOSFET，主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具有低导通电阻和高效率，适用于汽车电子、工业电源、DC-DC转换器等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
连续漏极电流（ID）：120A（在Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：6.6mΩ（最大值，VGS=10V）
栅极电荷（Qg）：82nC（典型值）
封装形式：PowerSO-10
BUK664R6-40C,118 具有以下显著特性：
1. **低导通电阻**：RDS(on)最大值仅为6.6mΩ，大大降低了导通损耗，提高了系统效率。
2. **高电流能力**：能够承受高达120A的连续漏极电流，适合大功率应用场景。
3. **优化的热性能**：采用PowerSO-10封装，具备优良的热管理能力，确保在高负载条件下的稳定运行。
4. **低栅极电荷**：Qg典型值为82nC，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的效率。
5. **车规级认证**：符合AEC-Q101标准，适用于对可靠性要求极高的汽车电子系统。
6. **高可靠性**：具备高雪崩能量耐受能力，增强了器件在恶劣环境下的耐用性。
7. **广泛的工作温度范围**：可在-55℃至175℃的温度范围内稳定工作，适应多种工业和汽车应用需求。
该器件广泛应用于以下领域：
1. **汽车电子**：如电动助力转向系统（EPS）、车身控制模块、电池管理系统（BMS）等。
2. **工业电源**：包括服务器电源、UPS（不间断电源）、工业电机驱动等高效能电源系统。
3. **DC-DC转换器**：适用于高效率、高功率密度的DC-DC转换器设计，特别是在48V系统中表现优异。
4. **负载开关与电源管理**：作为高侧或低侧开关，用于精密的电源控制和管理。
5. **逆变器与变频器**：用于工业逆变器和变频器中的功率开关，实现高效的能量转换。
6. **LED照明系统**：用于高功率LED驱动电路中，提供稳定且高效的电流控制。
IPD65R060C6, SiC622R
