时间：2025/7/18 20:11:27
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C2M0280120D 是一款由 Wolfspeed（原 Cree）公司生产的碳化硅（SiC）功率 MOSFET。这款器件采用先进的碳化硅技术，具有高效率、高耐压、低导通电阻和高速开关特性。它特别适用于高功率、高频和高温工作环境，例如电动汽车（EV）充电系统、可再生能源逆变器、工业电源和功率因数校正（PFC）电路。
类型：碳化硅功率MOSFET
最大漏极-源极电压(Vds)：1200V
最大漏极电流(Id)：40A（25°C时）
导通电阻(Rds(on))：28mΩ
栅极电荷(Qg)：120nC（典型值）
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-247
最大功耗(Pd)：300W
C2M0280120D 碳化硅功率MOSFET具有多项卓越特性。首先，其导通电阻（Rds(on)）仅为28mΩ，这意味着在高电流条件下，导通损耗显著降低，提高了整体系统效率。其次，器件的最大漏极-源极电压可达1200V，使其适用于高电压应用，同时具备出色的短路耐受能力。
此外，碳化硅材料的宽禁带特性使得该MOSFET在高温环境下依然能保持稳定工作，最高工作温度可达150°C。这一特性对于需要高可靠性和高温稳定性的工业和汽车应用尤为重要。由于碳化硅器件的开关损耗远低于传统硅基MOSFET，C2M0280120D在高频开关应用中表现优异，有助于减小功率变换器的体积和重量。
该器件的封装形式为TO-247，便于散热和安装，并支持多种功率模块设计。C2M0280120D 还具有较低的栅极电荷（Qg），有助于提高开关速度并降低驱动损耗。此外，其栅极驱动电压范围宽泛（通常为-5V至+20V），兼容多种驱动电路设计，提高了系统的灵活性和可靠性。
C2M0280120D 广泛应用于需要高功率密度和高效率的电力电子系统中。例如，在电动汽车充电系统中，该器件可用于高效DC-AC逆变器和DC-DC转换器，提升充电效率并减少能量损耗。在可再生能源领域，C2M0280120D 常用于太阳能逆变器和风力发电变流器，以提高能源转换效率并降低系统损耗。
在工业电源方面，该MOSFET可用于高功率电源供应器和不间断电源（UPS）系统，确保设备在高负载条件下稳定运行。此外，它还可用于电机驱动系统和功率因数校正（PFC）电路，提升系统功率因数并减少谐波失真。由于其优异的高温性能，C2M0280120D 在航空航天和汽车电子等极端环境应用中也具有广泛应用前景。
C2M0160120D, C3M0065090D, SCT3040KL, SiC MOSFET 1200V 40A 系列其他型号
