时间：2025/9/14 8:19:16
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PDTB143XUF是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高频率开关应用和电源管理领域。该MOSFET采用先进的沟槽式（Trench）结构，提供了更低的导通电阻（Rds(on)）和更高的电流处理能力。其封装形式为DFN（Dual Flat No-lead）5mm x 6mm，具备良好的热管理和小型化优势，适用于现代高效能、紧凑型电源系统。PDTB143XUF广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统以及工业自动化设备等领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：30V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：20A（在Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：5.3mΩ（最大值，Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：60W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：DFN5x6
栅极电荷（Qg）：28nC（典型值）
输入电容（Ciss）：1500pF（典型值）
漏极-源极击穿电压（BVdss）：30V
PDTB143XUF采用了东芝先进的沟槽式功率MOSFET技术，使其在相同的电压等级下具备更低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了能效。其Rds(on)最大值为5.3mΩ，在Vgs=10V的驱动条件下能够有效降低功率损耗，适用于高效率的DC-DC转换器和同步整流电路。
该器件具有较高的电流处理能力，额定连续漏极电流为20A，在高温环境下依然能保持稳定的工作状态。同时，其低栅极电荷（Qg=28nC）特性有助于降低开关损耗，提高系统的开关频率和整体效率。
PDTB143XUF的DFN5x6无引脚封装结构不仅节省空间，还提供了良好的热传导性能，有助于将热量迅速传导至PCB，提升器件的可靠性和使用寿命。这种封装方式也符合现代电子设备对小型化和轻量化的需求。
该MOSFET具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压和过流条件下保持一定的耐受能力，提高系统的稳定性和安全性。其±20V的栅极-源极电压容限也增强了器件在复杂电磁环境中的工作稳定性，降低了栅极驱动电路设计的难度。
此外，PDTB143XUF具有低漏电流和高开关速度的特点，适用于高频开关电源和电机控制应用。其内部结构优化设计减少了寄生电容，从而提高了开关性能并降低了EMI干扰。
PDTB143XUF广泛应用于各类高效率电源系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统等。其低导通电阻和高电流能力使其成为高性能电源管理模块的理想选择。
在工业自动化设备中，PDTB143XUF可用于电机驱动、继电器控制和功率调节电路中，提供高效的功率切换和控制能力。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，该MOSFET也可用于功率变换和能量管理电路。
此外，该器件还适用于消费类电子产品，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统，实现高效的能量转换和节能控制。
TKA143XUF,PDTB143XU
