IRFW730A是一款由英飞凌(Infineon)推出的N沟道增强型功率MOSFET,适用于高功率开关应用。这款MOSFET设计用于在高频率和高电流条件下工作,提供高效的电源转换性能。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流:8.5A
最大漏源电压:600V
最大栅源电压:±20V
导通电阻(Rds(on)):1.2Ω
功率耗散:50W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-220AB
IRFW730A具有低导通电阻,从而减少导通损耗并提高系统效率。
该器件的高耐压特性使其适用于高电压应用,如开关电源和电机控制。
其TO-220AB封装提供良好的散热性能,适用于需要高功率耗散的应用。
此外,IRFW730A具备快速开关特性,有助于减少开关损耗并提高整体系统效率。
器件的栅极驱动电压范围宽,允许使用标准的10V至15V驱动电路进行控制。
该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力,增强了在高压瞬态条件下的可靠性。
IRFW730A还具备良好的热稳定性,能够在高环境温度下保持稳定运行。
其设计适用于多种工业应用,包括DC-DC转换器、逆变器和电源管理系统。
IRFW730A广泛应用于开关电源(SMPS)、电机驱动器、逆变器和DC-DC转换器等功率电子设备中。
它也可用于工业自动化设备、电池管理系统和高电压控制电路。
由于其高可靠性和优异的热性能,IRFW730A在工业和消费类电子产品中都有广泛应用。
此外,该器件还可用于太阳能逆变器、UPS系统以及需要高效能功率管理的场合。
IRF730A, IRF740A, FQA8N60C, STP8NK60Z