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IRFW730A 发布时间 时间:2025/8/25 2:19:56 查看 阅读:14

IRFW730A是一款由英飞凌(Infineon)推出的N沟道增强型功率MOSFET,适用于高功率开关应用。这款MOSFET设计用于在高频率和高电流条件下工作,提供高效的电源转换性能。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏极电流:8.5A
  最大漏源电压:600V
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻(Rds(on)):1.2Ω
  功率耗散:50W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-220AB

特性

IRFW730A具有低导通电阻,从而减少导通损耗并提高系统效率。
  该器件的高耐压特性使其适用于高电压应用,如开关电源和电机控制。
  其TO-220AB封装提供良好的散热性能,适用于需要高功率耗散的应用。
  此外,IRFW730A具备快速开关特性,有助于减少开关损耗并提高整体系统效率。
  器件的栅极驱动电压范围宽,允许使用标准的10V至15V驱动电路进行控制。
  该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力,增强了在高压瞬态条件下的可靠性。
  IRFW730A还具备良好的热稳定性,能够在高环境温度下保持稳定运行。
  其设计适用于多种工业应用,包括DC-DC转换器、逆变器和电源管理系统。

应用

IRFW730A广泛应用于开关电源(SMPS)、电机驱动器、逆变器和DC-DC转换器等功率电子设备中。
  它也可用于工业自动化设备、电池管理系统和高电压控制电路。
  由于其高可靠性和优异的热性能,IRFW730A在工业和消费类电子产品中都有广泛应用。
  此外,该器件还可用于太阳能逆变器、UPS系统以及需要高效能功率管理的场合。

替代型号

IRF730A, IRF740A, FQA8N60C, STP8NK60Z

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