时间：2025/9/14 9:58:32
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PSMN016-100BS,118 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用高性能沟槽技术，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于各种高效能电源系统。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：60A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：16mΩ（最大值）
功耗（Ptot）：160W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-220AB
PSMN016-100BS,118 MOSFET采用先进的沟槽技术制造，具有极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件的漏源电压（Vds）为100V，能够承受较高的电压应力，适用于中高功率应用。其最大连续漏极电流为60A，在适当的散热条件下可以支持大电流工作。
此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，工作温度范围宽，从-55°C到+175°C，适应各种严苛环境下的运行需求。其封装形式为TO-220AB，便于安装在标准的PCB上，并具备良好的散热性能。
该器件的栅极驱动电压范围为±20V，具有较高的栅极抗干扰能力，同时具备较高的短路耐受能力，确保在瞬态条件下仍能稳定运行。其最大功耗为160W，支持高功率密度设计，适用于紧凑型电源系统。
PSMN016-100BS,118 MOSFET广泛应用于各种电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器、电机控制器、负载开关和电池管理系统。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适用于高效率电源转换电路，如服务器电源、通信设备电源和工业自动化系统。
此外，该MOSFET也常用于汽车电子系统，如车载充电器、启停系统和电动助力转向系统，其高耐压能力和良好的热稳定性使其在复杂的工作环境中保持稳定性能。同时，它也可用于太阳能逆变器和储能系统，支持高效能绿色能源解决方案。
IRF1405, SiSS16DN, PSMN017-100YS
