时间：2025/8/6 7:07:38
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IXGR35N120C 是由 IXYS 公司生产的一款高功率 N 沟道 MOSFET，设计用于高电压和高电流应用。该器件具有 1200V 的漏源击穿电压（VDS）和 35A 的连续漏极电流（ID），非常适合用于电源转换器、电机控制、UPS 系统以及工业自动化设备等高压高功率场合。该 MOSFET 采用 TO-247 封装，具备良好的热管理和导热性能。
型号: IXGR35N120C
类型: N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）: 1200V
栅源电压（VGS）: ±20V
连续漏极电流（ID）: 35A
功耗（PD）: 200W
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
存储温度范围: -55°C 至 +150°C
封装形式: TO-247
IXGR35N120C 具有出色的导通特性和开关性能，能够有效降低导通损耗和开关损耗。该器件采用了先进的平面技术，提供更高的效率和更小的导通电阻（RDS(on)）。
此外，该 MOSFET 还具备较高的抗雪崩能力，能够在高能脉冲条件下保持稳定工作。TO-247 封装确保了良好的散热性能，使得器件在高功率条件下仍能维持较低的结温。
其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，方便与各种驱动电路配合使用。同时，该器件具有低栅极电荷（Qg），有助于提高开关速度并减少驱动损耗。
由于其高可靠性和强大的电气性能，IXGR35N120C 非常适合用于需要高效率和高稳定性的工业级应用。
该器件广泛应用于各种高功率和高电压系统中，如工业电源、不间断电源（UPS）、电机驱动器、逆变器、太阳能逆变系统以及焊接设备等。其优异的电气特性和热管理能力使其在需要高可靠性和高性能的电源系统中表现出色。
在电机控制应用中，IXGR35N120C 可用于实现高效的功率调节和精确的速度控制，同时降低整体系统损耗。在 UPS 和太阳能逆变系统中，该 MOSFET 能够支持高效的 DC-AC 转换，提高能源利用效率。
此外，该器件也适用于高频开关应用，如谐振转换器和软开关拓扑，以实现更高的功率密度和系统效率。
IXFH35N120, IXTP35N120C
