BSC019N04LS 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于 Infineon Technologies 的 OptiMOS 系列。该器件采用 TOLL 封装形式,具有低导通电阻和高开关速度的特性,适用于多种电源转换应用,如 DC-DC 转换器、电机驱动和电池管理系统等。这款 MOSFET 的设计旨在提高效率并降低功耗。
最大漏源电压:40V
最大连续漏极电流:27A
导通电阻(典型值):1.3mΩ
栅极电荷(典型值):45nC
反向恢复时间:6ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
BSC019N04LS 具有极低的导通电阻,这有助于减少传导损耗并提高整体效率。此外,其优化的开关性能使得它非常适合高频开关应用。TOLL 封装提供了良好的热性能和电气性能,支持更高的功率密度。
该器件还具备短路保护功能,增强了系统的可靠性和安全性。在高温环境下也能保持稳定的性能,因此适合工业和汽车应用中的严苛条件。
BSC019N04LS 广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. 电动车辆(EV/HEV)中的电机控制
3. 工业自动化设备中的驱动电路
4. 电信基础设施中的高效电源模块
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换
BSC016N04LS, BSC022N04LS