类型：肖特基二极管阵列
　　配置：双共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大平均整流电流（Io）：200mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：1A
　　最大正向电压（VF）：500mV @ 100mA
　　最大反向漏电流（IR）：100μA @ 25°C
　　工作结温范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装：SOT-23

76SB12S的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构使得器件具备非常低的正向导通压降，典型值仅为500mV左右，显著降低了导通损耗，提高了整体电源转换效率。相比传统的PN结二极管，肖特基二极管没有少数载流子的积累效应，因此具有极快的开关速度和几乎可以忽略的反向恢复时间，非常适合用于高频开关电路中，例如在同步整流拓扑或高频DC-DC变换器中作为续流或箝位二极管使用。
　　该器件的双共阴极结构使其在双路输出或双通道电源系统中能够简化电路设计，减少元件数量，提升可靠性。每个二极管额定平均整流电流为200mA，足以满足大多数低功率应用需求。同时，其最大反向耐压为30V，适合3.3V、5V和12V等常见低压直流系统的防护与整流任务。
　　SOT-23封装不仅保证了小型化，还提供了良好的散热性能和机械稳定性，便于自动化贴片生产。该封装引脚间距为1.9mm，符合标准贴装工艺要求，适用于回流焊和波峰焊等多种组装方式。此外，76SB12S具备优良的热稳定性，在结温达到+125°C时仍能保持正常工作，适用于工业级和消费类电子产品的严苛环境。
　　器件还具备较低的反向漏电流，在室温下典型值不超过100μA，有助于降低待机功耗，延长电池寿命。尽管肖特基二极管通常存在比普通二极管更高的反向漏电问题，但76SB12S通过优化金属-半导体接触界面，有效控制了漏电流水平，在性能与功耗之间实现了良好平衡。

76SB12S常用于各类便携式电子设备中的电源管理单元，例如智能手机、可穿戴设备和蓝牙耳机等，主要用于电池充放电路径的极性保护和防止反向电流倒灌。在DC-DC升压或降压模块中，它可作为续流二极管，利用其快速响应能力减少能量损耗，提高转换效率。此外，该器件也广泛应用于USB接口的电源隔离电路中，防止外设接入时对主控系统造成电压冲击。
　　在通信模块如Wi-Fi、LoRa或ZigBee射频电路中，76SB12S可用于偏置电压的整流和信号路径的钳位保护，确保敏感射频前端不受瞬态电压影响。其高速开关特性也使其适用于逻辑电平转换电路中的信号整形与隔离，特别是在I2C或UART总线中实现双向电平匹配。
　　在工业传感器节点和物联网终端设备中，76SB12S凭借其低功耗和小尺寸优势，成为理想的防反接和电源切换元件。例如，在多电源输入系统（如主电源与备用电池切换）中，它可以构成简单的OR-ing电路，自动选择电压较高的电源为系统供电。同时，由于其符合RoHS标准并支持无铅焊接，适用于出口型产品和环保认证项目。

MBR0230T1G
　　PMES231D,115
　　BAT54C