时间：2025/8/24 22:21:47
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IRFU230B是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产。该器件设计用于高电流、高电压的应用场景，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于电源管理和电机控制等高功率需求的电路中。IRFU230B采用了先进的沟槽技术，提供优异的性能和可靠性。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：23A
功耗(Pd)：100W
导通电阻(Rds(on))：最大80mΩ
工作温度范围：-55°C至175°C
IRFU230B具有低导通电阻的特点，使其在高电流条件下能够保持较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。此外，该器件的栅极驱动要求较低，可以与标准逻辑电平兼容，简化了驱动电路的设计。IRFU230B还具备快速开关能力，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和电机驱动器。其高耐压能力和良好的热稳定性确保了在恶劣工作环境下的可靠性。
该MOSFET采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。此外，IRFU230B的高雪崩能量耐受能力提供了额外的安全裕度，使其在瞬态过压条件下仍能保持稳定运行。
IRFU230B广泛应用于电源管理领域，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统。在电机控制方面，该器件可用于直流电机驱动、电动工具和自动化控制系统。此外，IRFU230B还适用于工业自动化设备、汽车电子系统以及高功率LED照明驱动电路。
IRFZ44N, IRF540N, FDPF2306
