时间：2025/5/15 15:58:48
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TF20NP03N 是一款 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于需要高效能和快速响应的应用场合。
该 MOSFET 的封装形式通常为 TO-220 或 DPAK 等，具体以实际产品为准。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：20A
导通电阻：4.5mΩ
总功耗：100W
工作结温范围：-55℃至+175℃
TF20NP03N 采用先进的半导体工艺制造，具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在 4.5mΩ 的水平下能够有效降低功率损耗。
2. 高速开关性能，具备较小的输入和输出电荷量，有助于提高效率。
3. 强大的电流承载能力，支持高达 20A 的连续漏极电流。
4. 耐热增强型设计，允许更高的工作结温范围（-55℃ 至 +175℃）。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子设备需求。
TF20NP03N 常用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的高频开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各类负载切换和保护电路。
5. 充电器和适配器中的功率管理部分。
IRFZ44N
STP20NF06
FDP18N06L
