类型：N沟道MOSFET模块
　　漏源电压(Vds)：1200V
　　连续漏极电流(Id)：18A
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：8引脚扁平封装（FBK）
　　栅极电荷(Qg)：典型值为55nC
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为320mΩ
　　最大功率耗散：120W

MU18-8FBK 的核心特性在于其高性能的MOSFET芯片技术和优化的封装设计，使其在高压和大电流应用中表现出色。该器件采用了先进的沟槽栅极结构和场截止IGBT技术，显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提高了整体系统效率。
　　其高集成度的模块设计将多个功率MOSFET芯片封装在一个紧凑的封装中，减少了外部连接和寄生电感，提高了系统的稳定性和可靠性。此外，该模块具备良好的热管理能力，能够在高功率密度应用中保持较低的工作温度，延长使用寿命。
　　MU18-8FBK 还具有优异的短路耐受能力和过热保护特性，适合在恶劣工作环境下运行。模块的封装材料符合RoHS环保标准，支持现代绿色电子产品的设计要求。

MU18-8FBK 主要用于需要高电压和大电流处理能力的电力电子系统。典型应用包括工业电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电焊机、感应加热设备以及电动车辆的电源管理系统。由于其高效的能量转换能力和良好的热稳定性，该模块在这些高功率应用中能够显著提高系统效率并减少散热设计的复杂度。
　　在工业自动化领域，MU18-8FBK 可用于构建高性能的变频器和伺服驱动器，提供快速响应和稳定的输出。在可再生能源系统中，如光伏逆变器和风力发电变流器，该模块能够实现高效的直流到交流的能量转换。
　　此外，该器件也适用于需要高可靠性和高效率的通信电源、服务器电源以及医疗设备电源系统。

IXFN18N120P、STY18N120VD、SGH18N120T