时间：2025/12/29 15:05:29
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IRFS831是一款由Infineon Technologies生产的N沟道增强型功率MOSFET，常用于高频率开关应用，具有较低的导通电阻和快速开关特性。该器件适用于电源转换器、DC-DC转换器以及电机控制等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：110A
导通电阻(Rds(on))：最大值5.3mΩ（在Vgs=10V时）
功耗(Pd)：250W
工作温度范围：-55°C至175°C
IRFS831具备极低的导通电阻，从而降低了功率损耗，提高了系统效率。其高电流承载能力和优异的热性能使其在高负载应用中表现出色。此外，该MOSFET具有快速的开关速度，适用于高频率工作环境，从而减少了开关损耗。封装设计优化了热管理，使得器件在高功率条件下依然能够保持稳定运行。
该器件采用了先进的封装技术，提高了可靠性，并减少了寄生电感效应，从而进一步改善了高频下的性能表现。IRFS831还具备较高的抗雪崩能力，能够在瞬态条件下提供额外的安全保障，避免器件损坏。
由于其优异的电气和热性能，IRFS831广泛应用于汽车电子、工业自动化、电源管理和电机控制等领域。
IRFS831常用于高效率DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统、电源开关电路以及各类高功率电子控制系统。
SiR882ADP, IRF1324S-7PPBF, IRLB8314PbF
