型号：R1116D151D-TR
　　类型：正电压输出LDO稳压器
　　输出电压：1.5V（固定）
　　输出电压精度：±1%（Ta=25°C）
　　最大输出电流：300mA
　　输入电压范围：2.0V～6.0V
　　静态电流：典型值2.0μA
　　关断电流：≤0.1μA
　　压差电压：典型值110mV（Iout=150mA）
　　工作温度范围：-40°C～+85°C
　　封装形式：DFN(PLP)1515-6
　　引脚数：6
　　保护功能：过流保护、过热保护
　　稳定性要求电容：≥1.0μF（陶瓷电容）

R1116D151D-TR具备多项优异的技术特性，使其在同类LDO产品中脱颖而出。首先，其采用CMOS工艺设计，实现了极低的静态电流消耗，典型值仅为2.0μA，在轻载或待机状态下显著降低系统功耗，特别适合使用纽扣电池或锂电池长期供电的应用场合。这一特性对于需要长时间运行而无法频繁更换电池的设备至关重要，例如智能手表、健康监测设备以及远程传感器节点等。
　　其次，该器件拥有出色的输出电压精度和稳定性。在标准环境温度下，输出电压精度可达±1%，即便在负载电流变化或输入电压波动的情况下，也能维持稳定的输出电压，确保后级电路正常工作。这得益于其内部集成的高精度基准电压源和误差放大器结构，结合良好的线性调整率和负载调整率指标，使电源噪声最小化，提升系统抗干扰能力。
　　再者，R1116D151D-TR支持超小容量输出电容（最小1.0μF陶瓷电容），相比传统LDO需要较大电解电容的设计，大幅节省PCB面积并降低成本。同时，陶瓷电容无极性、寿命长、ESR低，有助于提高电源系统的瞬态响应速度和整体可靠性。
　　另外，该芯片集成了多重保护机制，包括过电流保护和过热保护。当输出短路或负载异常导致电流过大时，内部限流电路会自动限制输出电流；若芯片温度超过安全阈值，过热关断功能将切断输出，避免永久性损坏。这些保护措施提升了整个电源系统的鲁棒性和安全性。
　　最后，DFN(PLP)1515-6的小型封装不仅节省空间，还具备良好的散热性能，适用于高密度贴装工艺，支持回流焊生产，符合现代电子产品微型化、集成化的趋势。

R1116D151D-TR因其高精度、低功耗和小尺寸的特点，广泛应用于多种对电源管理有严格要求的电子设备中。在便携式消费类电子产品领域，如蓝牙耳机、智能手环、TWS耳机和小型移动支付终端中，它为MCU、传感器和射频模块提供稳定可靠的低压电源，有效延长电池使用寿命。
　　在物联网（IoT）设备中，例如无线传感节点、智能家居传感器、远程抄表装置等，常常采用电池长期供电，R1116D151D-TR的微安级静态电流极大地减少了待机损耗，使得设备可在数年内无需更换电池，提升了维护便利性和部署灵活性。
　　此外，该LDO也适用于工业控制中的低功耗信号调理电路、医疗电子设备中的便携式检测仪器，以及各类嵌入式系统中的电源轨转换。例如，在使用3.3V或5V主电源降压至1.5V供给特定IC（如某些图像传感器或存储器）的场景中，R1116D151D-TR能高效完成电压转换任务，且不引入过多热量。
　　由于其支持陶瓷输出电容并具备良好瞬态响应能力，因此也可用于为高灵敏度模拟电路（如ADC、DAC前置供电）提供干净的电源，抑制电源纹波和噪声，从而提高信号采集精度。总体而言，R1116D151D-TR是一款面向高性能、低功耗、小型化需求的理想电源解决方案。

R1116N151A-TR
　　R1114Q151B-T1
　　XC6206P151MR-G