IRFS822 时间：2025/12/29 14:59:55 阅读：21

IRFS822 是由 Infineon Technologies（英飞凌）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高开关性能的特点，适用于电源转换、电机控制和负载开关等应用场景。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：140A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.7mΩ（典型值）
　　功率耗散（Pd）：250W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-220、TO-262、TO-263

特性

IRFS822 MOSFET 具备多项优良特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其导通电阻非常低，仅为 4.7mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件支持高达 140A 的连续漏极电流，适用于高负载电流的场景。
　　该 MOSFET 采用先进的沟槽技术，优化了载流子的流动路径，从而提升了导通性能和开关速度。这种设计不仅减少了开关损耗，还提高了器件的响应能力，使其适合高频开关应用。
　　IRFS822 的最大漏源电压为 30V，能够在中等电压范围内稳定工作，而 ±20V 的最大栅源电压确保了栅极驱动的灵活性，兼容多种控制电路设计。
　　在热管理方面，该器件具备 250W 的功率耗散能力，结合良好的封装散热设计，使其在高功耗应用中仍能保持较低的温升。此外，IRFS822 的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，展现出良好的环境适应性，适用于工业和汽车电子等苛刻环境。

应用

IRFS822 被广泛应用于多种高功率电子系统中。在电源管理领域，它常用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关，以提高能效并减少发热。在电机控制方面，该 MOSFET 可用于 H 桥驱动电路，提供高效的双向电机控制能力。
　　在汽车电子领域，IRFS822 可用于汽车启动器、电动助力转向系统和车载充电系统等关键部件，确保在高电流和高温条件下的稳定运行。此外，它还可用于工业自动化设备中的高功率开关电路，如可编程逻辑控制器（PLC）和伺服驱动器。
　　由于其优异的开关性能和高电流承载能力，IRFS822 也常用于电池管理系统（BMS）、逆变器和不间断电源（UPS）等应用中，用于实现高效的能量转换和可靠的电路保护。