电容值：0.47μF (470nF)
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　介电材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0805（2.0mm x 1.2mm）
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15% from -55°C to +125°C
　　电容代码：474
　　直流偏压特性：随电压增加电容值略有下降，典型应用需考虑偏压影响
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍阻挡层/锡外涂层（Ni/Sn）
　　可靠性：高耐湿性，适用于自动贴片生产线

X7R介电材料是II类陶瓷电容器中常用的一种，具有优异的温度稳定性，在-55°C到+125°C范围内电容变化不超过±15%，非常适合需要宽温工作的应用场景。与Y5V等其他II类介质相比，X7R在温度变化时的电容稳定性更优，虽然其介电常数低于Y5V，但综合性能更为均衡，特别适合用于去耦和滤波电路。
　　0805B474K500AT采用先进的叠层制造工艺，内部由多个陶瓷-金属电极交替堆叠而成，形成一个高体积效率的电容器结构。这种设计不仅提升了单位体积内的电容量，还显著降低了等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频下仍能保持良好的阻抗特性，有利于电源系统的动态响应和噪声抑制。
　　该器件对直流偏压较为敏感，随着施加电压接近额定值，实际电容值会有所下降。例如，在50V偏压下，实测电容可能仅为标称值的70%-80%。因此，在关键滤波或定时应用中，必须参考KEMET提供的电压偏置曲线进行降额设计，以保证系统性能稳定。
　　0805封装尺寸在空间受限的设计中表现出良好的平衡性：既提供了足够的焊盘面积以确保焊接可靠性，又不会占用过多PCB空间。同时，该封装兼容标准SMT贴片设备，便于大规模自动化生产。其端电极为三层端子结构（Monolithic Ceramic Capacitor with Ni/Sn Termination），具备优良的可焊性和耐腐蚀能力，能够在高温高湿环境下长期稳定工作。
　　此外，该电容器具有较低的老化率（typically <2.5% per decade hour），且不具有铁电材料的强非线性效应，适合用于中等精度的模拟和数字电路中。整体而言，0805B474K500AT是一款兼顾性能、尺寸与成本的理想选择，尤其适用于中高压、中容量需求的去耦与滤波场合。

该电容器广泛应用于各类电子设备中的电源去耦和噪声滤波电路。在数字集成电路（如MCU、FPGA、ASIC）的电源引脚附近，0805B474K500AT可用于吸收瞬态电流波动，降低电源轨道上的电压纹波，从而提高系统的稳定性和抗干扰能力。
　　在DC-DC转换器和开关电源模块中，它常被用作输入或输出滤波电容，配合其他容值的电容构成多级滤波网络，以覆盖更宽的频率响应范围。其低ESR特性有助于减少功率损耗并提升转换效率。
　　此外，该器件也适用于信号耦合与交流旁路应用，尤其是在中频模拟电路中作为耦合电容使用，可有效隔离直流分量同时传递交流信号。在工业控制板、通信基站、医疗电子设备以及车载信息娱乐系统中均有广泛应用。
　　由于其工作温度范围宽，亦可用于部分汽车电子模块，如车身控制单元（BCM）、传感器接口电路和车载电源管理系统。在这些环境中，器件需要承受较大的温度循环和机械振动，而0805B474K500AT的结构强度和材料稳定性能够满足AEC-Q200的部分可靠性要求（具体需查阅认证状态）。
　　在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居控制器中，该电容常用于射频模块、音频处理单元和电池管理电路中，提供稳定的电荷存储与高频旁路功能。总体来看，其通用性强、适配度高，是现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

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　　 "C3216X7R1H474K",
　　 "GRM21BR71H474KA01",
　　 "CL21B474KBANNNC",
　　 "TC3216X7R500AT",
　　 "ECJ-2VB1H474K"
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