时间：2025/9/6 15:20:33
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HU52W151MRXS5 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效能、高频开关应用设计，具有低导通电阻和高耐压特性，适用于多种电源管理场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：150 V
栅源电压（VGS）：±20 V
漏极电流（ID）：25 A
导通电阻（RDS(on)）：0.045 Ω
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
功率耗散（PD）：60 W
HU52W151MRXS5 MOSFET 具有低导通电阻，能够在高电流条件下提供较低的传导损耗，从而提升整体效率。其高耐压能力（150V）使其适用于中高压电源转换应用。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，且具备较强的抗过载能力。
这款 MOSFET 的栅极驱动特性优化，支持快速开关操作，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器和电机控制等应用场景。其 TO-220 封装提供了良好的散热性能，适合需要较高功率密度的设计。此外，该器件的封装形式易于安装，并具有良好的机械稳定性。
HU52W151MRXS5 MOSFET 主要应用于开关电源（SMPS）、同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路以及工业自动化控制系统等领域。其优异的性能也使其适用于太阳能逆变器、电动车电源管理系统和高效能 LED 驱动电源等新兴应用。
IRF150, FDP15N150, STP15NF15, TK15A150D
