HU52W151MRXS5 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效能、高频开关应用设计,具有低导通电阻和高耐压特性,适用于多种电源管理场景。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压(VDS):150 V
栅源电压(VGS):±20 V
漏极电流(ID):25 A
导通电阻(RDS(on)):0.045 Ω
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-220
功率耗散(PD):60 W
HU52W151MRXS5 MOSFET 具有低导通电阻,能够在高电流条件下提供较低的传导损耗,从而提升整体效率。其高耐压能力(150V)使其适用于中高压电源转换应用。此外,该器件具有良好的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行,且具备较强的抗过载能力。
这款 MOSFET 的栅极驱动特性优化,支持快速开关操作,适用于高频开关电源、DC-DC 转换器和电机控制等应用场景。其 TO-220 封装提供了良好的散热性能,适合需要较高功率密度的设计。此外,该器件的封装形式易于安装,并具有良好的机械稳定性。
HU52W151MRXS5 MOSFET 主要应用于开关电源(SMPS)、同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路以及工业自动化控制系统等领域。其优异的性能也使其适用于太阳能逆变器、电动车电源管理系统和高效能 LED 驱动电源等新兴应用。
IRF150, FDP15N150, STP15NF15, TK15A150D