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IRFR9024TRPBF 发布时间 时间:2025/5/12 22:16:46 查看 阅读:9

IRFR9024TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用小型表面贴装封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,广泛应用于消费类电子、工业控制和通信设备等领域。其设计旨在满足高效能功率转换和信号切换的需求。
  该器件适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用场合。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅极源极电压:±20V
  最大漏极电流:13A
  导通电阻:55mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗:2.7W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-252 (DPAK)

特性

IRFR9024TRPBF具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低功耗并提高效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用。
  3. 较高的漏源电压(Vds)和漏极电流(Id)使得该器件能够承受更大的功率。
  4. 符合RoHS标准,环保且无铅。
  5. 稳定的工作温度范围,使其能够在恶劣环境下可靠运行。
  6. 小型化的表面贴装封装,便于PCB布局和自动化生产。

应用

IRFR9024TRPBF主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换。
  2. DC-DC转换器中的同步整流。
  3. 电池管理系统的负载开关。
  4. 电机驱动电路中的功率控制。
  5. 各种工业控制设备中的信号切换。
  6. 消费类电子产品中的过流保护和短路保护电路。
  由于其出色的电气特性和紧凑的封装形式,这款MOSFET在需要高效能和高可靠性的应用场景中表现出色。

替代型号

IRF9024, BSC055N06NS3, FDP057N06L

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IRFR9024TRPBF参数

  • 数据列表IRFR9024, IRFU9024
  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C280 毫欧 @ 5.3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs19nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds570pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFR9024PBFTR