IRFR9024TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用小型表面贴装封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,广泛应用于消费类电子、工业控制和通信设备等领域。其设计旨在满足高效能功率转换和信号切换的需求。
该器件适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用场合。
最大漏源电压:60V
最大栅极源极电压:±20V
最大漏极电流:13A
导通电阻:55mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗:2.7W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-252 (DPAK)
IRFR9024TRPBF具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低功耗并提高效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用。
3. 较高的漏源电压(Vds)和漏极电流(Id)使得该器件能够承受更大的功率。
4. 符合RoHS标准,环保且无铅。
5. 稳定的工作温度范围,使其能够在恶劣环境下可靠运行。
6. 小型化的表面贴装封装,便于PCB布局和自动化生产。
IRFR9024TRPBF主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换。
2. DC-DC转换器中的同步整流。
3. 电池管理系统的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率控制。
5. 各种工业控制设备中的信号切换。
6. 消费类电子产品中的过流保护和短路保护电路。
由于其出色的电气特性和紧凑的封装形式,这款MOSFET在需要高效能和高可靠性的应用场景中表现出色。
IRF9024, BSC055N06NS3, FDP057N06L