时间：2025/5/29 18:35:33
阅读：7
DMN10H220LVT 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET，采用超小型的 DFN3030-8 封装形式。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度以及出色的热性能，非常适合用于便携式设备和空间受限的应用场景。其主要应用领域包括负载开关、DC-DC 转换器、电池管理电路以及其他需要高效功率转换的场合。
该型号属于公司旗下的 NexFET 系列产品，专注于提供高性能与小尺寸相结合的解决方案。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：7.9A
导通电阻：4.5mΩ（典型值，在 Vgs=4.5V 时）
栅极电荷：1.6nC（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：DFN3030-8（3mm x 3mm）
DMN10H220LVT 的主要特性如下：
1. 极低的导通电阻确保了高效率的能量转换，减少了功率损耗。
2. 高开关速度使其适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器。
3. 小巧的封装设计使得它成为紧凑型设计的理想选择，尤其适合对 PCB 空间要求较高的便携式设备。
4. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
5. 内置 ESD 保护功能，增强了器件在实际使用中的抗干扰能力。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 移动设备中的负载开关控制。
2. 电源管理系统中的 DC-DC 转换电路。
3. 电池供电设备中的充电及放电路径管理。
4. 各种工业和消费类电子产品的高效功率转换需求。
5. LED 驱动电路中的开关元件。
由于其卓越的性能和可靠性，DMN10H220LVT 在需要快速切换和低功耗的环境中表现出色。
DMN11H220LVT
DMN20H220LVT
