时间：2023/3/9 16:14:25
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类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFETs - 阵列
系列：HEXFET?
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFETs - 阵列
系列：HEXFET?
FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：35 毫欧 @ 4.8A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.8A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.2V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：23nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1340pF @ 15V
功率 - 最大：1.2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-TSSOP
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：8-TSSOP
| 厂商 |
|---|
| Infineon / IR |
