时间：2025/6/4 18:05:12
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IRFR7807ZTRPBF 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 PQFN 封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能功率转换应用。其先进的制造工艺确保了出色的热性能和可靠性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：39A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：42nC
开关时间：ton=12ns, toff=23ns
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
IRFR7807ZTRPBF 具有非常低的导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高整体效率。
此外，该器件还具备较高的漏极电流承载能力，使其适合于大功率应用。
其快速的开关速度可以有效降低开关损耗，从而在高频操作中表现优异。
PQFN 封装设计进一步增强了散热性能，同时节省了 PCB 空间。
由于采用了先进的制造技术，该功率 MOSFET 在高温环境下仍能保持稳定的工作性能。
该 MOSFET 广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关、逆变器以及电池保护电路等场景。
它特别适合需要高效功率传输和快速动态响应的应用领域。
凭借其出色的热性能和高电流处理能力，IRFR7807ZTRPBF 也是工业自动化设备和汽车电子系统的理想选择。
IRFR7807G, IRF7807
