时间：2025/4/28 16:39:26
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SIP21101DR-33-E3 是一款基于硅工艺的高性能射频功率晶体管，专为高频无线通信应用设计。该器件采用匹配网络和优化的封装设计，能够提供出色的增益、效率和线性度性能。它广泛应用于基站、无线电设备和其他射频功率放大场景中。
此型号中的“-33”表示其工作频率范围在特定频段内进行了优化，适用于多种现代无线通信标准。此外，E3 后缀表明该器件符合某些环境或质量认证要求，例如高可靠性筛选标准。
类型：射频功率晶体管
封装：SIP（单列直插式封装）
工作频率范围：30 MHz 至 450 MHz
输出功率：50 W（典型值）
增益：12 dB（典型值）
VSWR耐受性：高于 3:1
电源电压：28 V
直流功耗：≤ 60 W
插入损耗：≤ 0.5 dB
存储温度范围：-55°C 至 +125°C
工作温度范围：-40°C 至 +100°C
SIP21101DR-33-E3 的主要特性包括：
1. 高输出功率和效率，适合需要大功率传输的应用。
2. 在宽频率范围内具有稳定的性能表现，确保信号的一致性和可靠性。
3. 内置匹配网络，简化了外部电路设计并降低了系统复杂度。
4. 提供良好的线性度和低失真性能，满足现代通信系统的严格要求。
5. 具备较高的 VSWR 耐受能力，能够在负载不匹配的情况下保持稳定运行。
6. 环保合规性，支持无铅焊接工艺，并通过严格的可靠性测试。
SIP21101DR-33-E3 主要应用于以下领域：
1. 射频功率放大器模块，用于提升无线信号强度。
2. 基站发射机，支持 GSM、CDMA 和 LTE 等多种通信标准。
3. 工业、科学和医疗 (ISM) 频段设备，如射频加热装置或测试仪器。
4. 民用和军用无线电通信系统，包括对讲机和移动电台。
5. 测试与测量设备，用于评估射频组件性能。
SIP21101DR-25-E3, SIP21101DR-33-E2, SIP21101DR-45-E3
