类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：115A
　　RDS(on)（最大值）：2.0mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：LFPAK56（56封装）
　　安装方式：表面贴装

PSMN2R0-30YL115 具有多个显著的性能优势，首先其极低的导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。这使其非常适合用于高电流开关电源、DC-DC转换器以及负载开关等应用。此外，该器件采用了NXP的TrenchPlus技术，提升了开关性能并降低了反向恢复损耗，从而进一步提高了整体能效。
　　另一个重要特性是其优异的热管理能力。LFPAK56封装设计有助于降低封装热阻，提高散热效率，从而在高负载条件下仍能维持稳定运行。该器件的高电流承载能力（115A）和出色的热稳定性使其适用于要求严苛的工业和汽车电子系统。
　　此外，PSMN2R0-30YL115 还具有较高的栅极电压耐受能力（±20V），增强了在高频开关应用中的可靠性。其快速开关特性和低输入电容（CISS）使其适用于高频PWM控制电路。该器件符合RoHS标准，支持环保设计。

PSMN2R0-30YL115 广泛应用于多个领域，包括但不限于：高效率DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业电源和汽车电子系统等。在汽车电子中，该MOSFET常用于车载充电器、电池保护电路和电动助力转向系统（EPS）等关键部件。由于其高可靠性和优异的热性能，它也适用于对稳定性要求极高的工业自动化设备和电源模块。

PSMN2R0-30YL115的替代型号包括PSMN2R0-30WLC（LFPAK封装，相似性能）、PSMN3R0-30LD（略高RDS(on)但成本较低）以及国际整流器公司（Infineon）的BSC022N03LX2000S等。