型号：IRFR7746
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　最大连续漏极电流（ID @ 25°C）：19 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：76 A
　　最大耗散功率（PD）：150 W
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 10V：8.5 mΩ
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 4.5V：12.5 mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）典型值：2.1 V
　　输入电容（Ciss）典型值：2040 pF
　　反向恢复时间（trr）典型值：46 ns
　　工作结温范围：-55 °C 至 +175 °C
　　封装：D2PAK (TO-263)
　　导通状态电阻温度系数：正温度系数
　　极性：增强型
　　配置：单N沟道

IRFR7746采用了英飞凌先进的沟槽栅极MOSFET技术，这种结构通过在硅片表面刻蚀出深沟槽来形成垂直导电通道，从而显著增加了单位面积内的沟道宽度，提升了载流能力。这一设计有效降低了导通电阻RDS(on)，使其在10V栅压下最大仅为8.5mΩ，即便在4.5V较低驱动电压下也能保持12.5mΩ的低阻值，这对于提高电源转换效率至关重要。低RDS(on)意味着更小的导通损耗，尤其在大电流应用中可大幅减少发热，延长系统寿命。
　　该器件具有优异的开关性能，输入电容Ciss仅为2040pF，配合较低的栅极电荷Qg，使得驱动电路所需提供的能量更少，有利于实现高频操作而不会显著增加驱动损耗。同时，其输出电容COSS也经过优化，减少了开关过程中的能量损耗，进一步提升了整体效率。这对于现代高频率DC-DC变换器、同步整流等应用场景尤为重要。
　　IRFR7746具备出色的热稳定性与可靠性。其最大结温可达+175°C，远高于一般工业级器件的标准，能够在极端环境温度或长时间满负荷运行条件下保持稳定性能。内置的热保护机制结合D2PAK封装良好的散热能力，确保热量能够迅速传导至PCB或散热器，防止局部过热导致失效。此外，该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力，能在瞬态过压事件中吸收一定的能量而不损坏，提高了系统的鲁棒性。
　　在安全性和兼容性方面，IRFR7746符合RoHS指令要求，不含铅和其他有害物质，适用于绿色环保电子产品设计。其阈值电压典型值为2.1V，确保在常见逻辑电平（如3.3V或5V）下可靠开启，避免误触发。正温度系数的RDS(on)特性也有助于多管并联时的电流均衡，提升并联系统的稳定性。总体而言，IRFR7746是一款集高效、可靠、易用于一体的功率MOSFET，特别适合对性能和空间有严格要求的应用领域。

IRFR7746广泛应用于各类中高功率电子系统中，典型用途包括：DC-DC降压/升压转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、逆变器、LED照明驱动、热插拔控制器以及工业自动化设备中的功率开关模块。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为高效电源设计的理想选择。此外，该器件也常用于汽车电子辅助电源系统、通信基站电源单元以及便携式电动工具等需要长时间稳定工作的设备中。得益于其D2PAK封装的优良散热性能，IRFR7746可在有限空间内实现高功率输出，满足现代电子产品小型化与高集成度的发展趋势。在需要快速开关响应和低静态功耗的负载开关或电源切换应用中，该MOSFET同样表现出卓越的性能。

IRF7746
　　IRFB7746
　　IPB078N10N3
　　SPW45N100C3