时间：2025/6/29 12:43:55
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IPP048N06LG是英飞凌（Infineon）生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252 (DPAK)封装形式。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等场景中。其设计注重高效率和低功耗，具有极低的导通电阻和快速开关特性，能够满足多种功率电子应用的需求。
IPP048N06LG的最大漏源电压为60V，连续漏极电流可达4.8A（在环境温度25°C时）。它非常适合要求高效能和紧凑设计的应用场合。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻（典型值）：9mΩ
栅极电荷（典型值）：10nC
输入电容（典型值）：350pF
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-252 (DPAK)
最大功耗：2.5W
IPP048N06LG是一款性能优异的功率MOSFET，其主要特点包括：
1. 极低的导通电阻，典型值仅为9mΩ，可显著降低导通损耗，提升系统效率。
2. 快速开关速度，栅极电荷小（典型值为10nC），适合高频开关应用。
3. 高可靠性设计，具备出色的热稳定性和耐用性，能够在极端温度范围内可靠工作。
4. 小型化封装（TO-252/DPAK），节省PCB空间，支持高密度电路设计。
5. 符合RoHS标准，环保且易于焊接加工。
这些特性使得IPP048N06LG成为工业控制、消费电子及汽车电子等领域中的理想选择。
IPP048N06LG适用于以下应用场景：
1. 开关模式电源（SMPS）设计中的同步整流和主开关管。
2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
3. 各类电机驱动应用，如小型直流电机或步进电机的控制。
4. 负载切换和保护电路，例如电池管理系统中的开关。
5. 汽车电子中的车身控制模块单元。
由于其高效率和紧凑设计，IPP048N06LG在需要高性能和小尺寸解决方案的场合中表现尤为突出。
IPP050N06L, IPP040N06S, IRF540N
