时间:2025/12/23 23:01:59
阅读:18
IRFR430B是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用TO-263封装形式,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于高效率的电力电子应用。
IRFR430B属于逻辑电平驱动系列,能够直接与微控制器或驱动芯片接口使用,简化了电路设计。其优异的热特性和电气性能使得它成为许多功率应用的理想选择。
最大漏源电压:55V
最大连续漏极电流:18A
导通电阻:90mΩ
栅极阈值电压:2.5V
功耗:70W
工作温度范围:-55℃ to +175℃
1. 低导通电阻,可降低传导损耗,提高系统效率。
2. 快速开关速度,适合高频开关应用。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在过载条件下的可靠性。
4. 符合RoHS标准,环保且无铅。
5. 小型化的TO-263封装,便于安装和散热设计。
6. 支持逻辑电平驱动,降低了对驱动电路的要求。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流管或开关管。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 各类电机驱动控制电路。
5. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
IRFZ44N, IRF540N, STP16NF55