容量：16 Mbit
　　组织结构：1M x 16位
　　电源电压：3.3V 或 5V（根据具体型号）
　　最大访问时间：15ns
　　封装类型：TSOP / LQFP
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）或商业级（0°C 至 70°C）
　　I/O接口类型：并行
　　封装尺寸：根据具体封装类型不同而变化
　　功耗：典型值约为100mA（待机模式下更低）

P4C164L-15L32MB SRAM芯片具备多项显著特性。首先，其采用高性能CMOS技术制造，确保了在高速操作下的稳定性和可靠性。此外，该芯片的最大访问时间为15ns，这意味着它可以支持非常快速的数据读写操作，非常适合需要实时处理的应用场景。
　　该芯片的工作电压可以是3.3V或5V，提供了良好的兼容性，使其能够适应不同的电路设计需求。P4C164L-15L32MB 还具有较低的待机电流，在未被访问时可有效降低功耗，这对一些对能耗敏感的应用非常重要。
　　在封装方面，P4C164L-15L32MB 提供了多种选择，如TSOP（薄型小外形封装）和LQFP（低压四边扁平封装），以满足不同的PCB布局要求。它的工作温度范围涵盖工业级和商业级两种版本，适合广泛的应用环境。
　　此外，这款SRAM芯片还具备强大的抗干扰能力，能够在电磁干扰较强的环境中保持正常运行。这些特性共同构成了一个高效、可靠的存储解决方案，适用于路由器、交换机、嵌入式处理器等设备中的高速缓存应用。

P4C164L-15L32MB 主要应用于需要高速数据访问和低延迟特性的电子系统中。常见的应用场景包括网络设备（如路由器和交换机）、通信模块、工业控制板卡、测试仪器以及嵌入式系统中的高速缓存（Cache）设计。由于其具备低功耗和高稳定性的特点，也适用于需要长时间连续工作的设备。

ISSI IS61LV10248ALB4A-15T；Cypress CY7C1021GN30B-15VC；Alliance AS7C31024A-15JC；Microchip SST39LF800B-55-4I-PHE