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IRFR3911PBF 发布时间 时间:2025/6/20 9:38:09 查看 阅读:3

IRFR3911PBF是一款N沟道功率MOSFET,由Infineon Technologies(前身为International Rectifier)生产。该器件采用Pb-Free封装,符合RoHS标准,广泛应用于各种开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率切换的电路中。
  这款MOSFET的主要特点是低导通电阻(Rds(on)),能够在高频应用中提供高效率和低损耗表现。其出色的电气特性和可靠性使其成为许多工业及消费类电子产品的理想选择。

参数

最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):37A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  栅极电荷(Qg):38nC
  总功耗(Ptot):165W
  工作结温范围(Tj):-55℃ to +175℃
  封装形式:TO-263-3, D2PAK

特性

IRFR3911PBF具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 高雪崩击穿能力,可承受瞬态电压尖峰,提高系统的可靠性。
  3. 快速开关速度,适合高频应用环境。
  4. 符合RoHS标准,环保无铅封装。
  5. 良好的热性能,能够有效管理芯片温度以适应高功率场景。
  6. 紧凑型封装设计,便于PCB布局与安装。
  这些特点使得IRFR3911PBF在各类功率转换应用中表现出色,特别是在需要高效能和高可靠性的场合。

应用

IRFR3911PBF主要应用于以下几个领域:
  1. 开关电源(SMPS),如AC-DC适配器、充电器等。
  2. 电机驱动控制,用于家用电器、工业设备中的直流电机调速与转向。
  3. 太阳能逆变器,为光伏系统提供高效的电力转换功能。
  4. LED驱动电路,用于大功率LED照明解决方案。
  5. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。
  由于其优异的性能和广泛的适用性,IRFR3911PBF成为众多工程师在功率级设计中的首选器件。

替代型号

IRFR3911TRPBF, IRFZ44N, FDP5570

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IRFR3911PBF参数

  • 典型关断延迟时间52 ns
  • 典型接通延迟时间7.9 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs21 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds740 pF V @ 25
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度6.22mm
  • 封装类型DPAK
  • 尺寸6.73 x 6.22 x 2.39mm
  • 引脚数目3
  • 最低工作温度-55 °C
  • 最大功率耗散56000 mW
  • 最大栅源电压±20 V
  • 最大漏源电压100 V
  • 最大漏源电阻值0.115
  • 最大连续漏极电流14 A
  • 最高工作温度+175 °C
  • 每片芯片元件数目1
  • 类别功率 MOSFET
  • 通道模式增强
  • 通道类型N
  • 配置
  • 长度6.73mm
  • 高度2.39mm