时间：2025/8/5 23:49:48
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IXYS32N60是一款由IXYS公司制造的高功率MOSFET晶体管，常用于高电压和高电流的应用场合。该器件属于N沟道增强型MOSFET，设计用于高效能的电源转换和电机控制应用。IXYS32N60具有低导通电阻、高开关速度和耐高压的特性，适用于如电源供应器、DC-DC转换器、逆变器以及工业控制设备等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：32A
最大漏源电压（Vds）：600V
最大栅源电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：约0.21Ω（典型值）
功率耗散（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247AC
IXYS32N60的主要特性包括其高电压和高电流处理能力，使其适用于高功率密度设计。其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高整体效率。此外，该MOSFET具有快速开关特性，可以支持高频操作，从而减小外部滤波器组件的尺寸。器件还具有良好的热性能，能够在高功率条件下保持稳定运行。其增强型设计确保在正常工作状态下器件在无栅极信号时处于关闭状态，提高了系统的安全性。
IXYS32N60广泛应用于各种高功率电子设备中，例如工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器、电焊设备以及电动汽车充电系统等。由于其高可靠性和高效能，该器件也非常适合用于需要高效率和紧凑设计的现代电源管理系统。
STP32NM60ND, FCP32N60, IRFGB40N60SD1, SPW32N60S5
