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IS66WVE2M16EALL-70BLI 发布时间 时间:2025/9/1 9:04:43 查看 阅读:4

IS66WVE2M16EALL-70BLI 是由 Integrated Silicon Solution(ISSI)公司生产的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片采用先进的CMOS技术制造,提供高可靠性和低功耗的存储解决方案。其容量为256K x 16位,适用于需要快速数据存取和高稳定性的应用场景。该SRAM芯片广泛应用于工业控制、网络设备、通信系统以及嵌入式系统等领域。

参数

容量:256K x 16位
  电压:3.3V
  访问时间:70ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据总线宽度:16位
  封装尺寸:54引脚
  工艺技术:CMOS

特性

IS66WVE2M16EALL-70BLI SRAM芯片具备多种优良特性,确保其在各种高性能应用中的稳定运行。首先,该芯片采用了CMOS技术,提供了低功耗和高抗噪性能,使其在复杂环境中仍能保持稳定的工作状态。其次,该芯片具有高速访问时间,70ns的存取速度能够满足需要快速响应的应用需求,如实时控制系统和高速缓存应用。该芯片的工作电压为3.3V,符合现代电子设备的低电压标准,有助于降低整体功耗并提高能效。
  此外,IS66WVE2M16EALL-70BLI采用54引脚TSOP封装,具有较小的封装体积,适合在空间受限的电路板上使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级环境条件,确保在各种温度下都能可靠运行。该芯片还支持异步操作模式,无需外部时钟信号,简化了系统设计并降低了时序控制的复杂性。异步接口也使得该芯片能够更灵活地与各种类型的控制器或处理器进行连接。
  最后,该SRAM芯片经过严格的质量测试,确保其在长期运行中的稳定性和可靠性。其高集成度和优异的性能使其成为工业自动化、网络交换设备、通信模块以及其他高性能嵌入式系统的理想选择。

应用

IS66WVE2M16EALL-70BLI SRAM芯片因其高速度和低功耗特性,广泛应用于多个高性能电子系统中。在工业自动化控制领域,它常用于作为临时数据存储器,用于缓存传感器数据、控制指令和运行时变量,确保系统快速响应和高效运行。在网络设备中,该芯片适用于高速缓存存储,用于临时存储数据包和路由表信息,提高数据转发效率。通信系统中,该芯片可用于基站控制器、数据传输设备和无线通信模块中,作为高速数据缓冲器,确保通信的实时性和稳定性。
  嵌入式系统是该芯片的另一个重要应用领域,包括高端消费电子产品、工业计算机和智能仪表等。在这些系统中,IS66WVE2M16EALL-70BLI可用于存储关键程序代码和运行时数据,提高系统的启动速度和运行效率。此外,该芯片还适用于测试和测量设备,如示波器、逻辑分析仪和信号发生器,用于存储测量数据和校准信息。由于其工业级温度范围和高可靠性,该芯片也可用于航空航天、汽车电子和医疗设备等对稳定性和可靠性要求极高的行业。

替代型号

[
   "IS66WV2M16EALL-70BLI",
   "IS61WV2M16EALL-70BLI",
   "CY62167EALL-70B5I",
   "IDT71V416SAALL-70B"
  ]

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IS66WVE2M16EALL-70BLI参数

  • 现有数量24现货
  • 价格1 : ¥44.60000托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式PSRAM
  • 技术PSRAM(伪 SRAM)
  • 存储容量32Mb
  • 存储器组织2M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页70ns
  • 访问时间70 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳48-TFBGA
  • 供应商器件封装48-TFBGA(6x8)