K2161 时间：2025/9/7 16:20:33 阅读：17

K2161是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于电源管理和开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和高效率，适用于高频率开关操作。K2161通常封装在小型SOP或DFN封装中，使其适合于空间受限的应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：6.1A
　　导通电阻(Rds(on))：27mΩ（典型值）
　　功耗(Pd)：2.7W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOP8或DFN10

特性

K2161的主要特性包括低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性。由于采用了先进的沟槽结构，该器件能够在高频率下运行，同时减少导通损耗。其低栅极电荷（Qg）使其适用于快速开关应用，如DC-DC转换器、负载开关和电机控制。此外，K2161具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，确保在恶劣工作条件下仍能稳定运行。
　　另一个显著特点是其小型封装设计，既节省空间又具有良好的散热性能，使其成为便携式设备和高密度PCB设计的理想选择。K2161还具备低漏电流和高稳定性，有助于提升系统能效并减少发热。

应用

K2161常用于各类电源管理电路，如同步整流器、电池充电管理、DC-DC降压/升压转换器、LED驱动器和负载开关控制。它也广泛应用于消费电子产品、工业自动化设备、通信模块以及汽车电子系统中，用于高效能、高频率的开关操作。此外，该MOSFET也适合用于电机驱动和功率放大器设计，以实现更高的效率和更小的电路尺寸。