时间：2025/6/27 12:27:50
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IRFR3707ZTR是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-264封装。该器件由Vishay International Rectifier设计制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高频开关应用和高效能功率转换电路。
该MOSFET的额定电压为60V，典型导通电阻仅为2.5mΩ（在Vgs=10V条件下），这使得它非常适合用于电源管理、电机驱动以及DC-DC转换等场景。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：96A
栅源电压范围：-12V~20V
导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ@Vgs=10V
总功耗：180W
工作结温范围：-55℃~175℃
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高效率。
2. 高雪崩能量能力，提升了器件在异常条件下的可靠性。
3. 快速开关性能，适合高频应用。
4. 小型TO-264封装，节省PCB空间。
5. 优异的热稳定性，在高温环境下仍能保持良好性能。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
5. 各种工业自动化设备中的功率转换模块。
IRF3707S, IRF3707PBF
