2SK3550 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型功率MOSFET,主要用于高电压、高电流的应用,例如开关电源、DC-DC转换器、马达控制以及各种功率放大器设计。该MOSFET采用先进的制造工艺,具备优异的导通特性和较低的导通电阻,能够有效降低功率损耗并提高系统效率。它的封装形式为TO-220AB,适合高散热需求的电路设计。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS):200V
最大栅源电压(VGS):±30V
最大漏极电流(ID):10A(连续)
导通电阻(RDS(on)):最大0.65Ω(典型值0.45Ω)
功耗(PD):80W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-220AB
2SK3550 MOSFET采用了先进的沟槽栅结构技术,使得其导通电阻显著降低,从而减少了在高电流条件下的功率损耗。其高耐压能力(200V VDS)使其适用于多种中高压应用。此外,该器件具备良好的热稳定性,能够在高功耗环境下稳定工作。
栅极驱动电压范围较宽,可在+10V至+20V之间正常工作,提高了其在不同驱动电路中的适应性。由于其快速的开关特性,2SK3550适用于高频开关电路,有助于提高电源系统的整体效率。
该器件还具备较强的抗过载能力,能够在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏。这使得它在马达驱动和电源保护电路中表现出色。此外,TO-220AB封装提供了良好的散热性能,适合需要较高功率耗散的设计。
2SK3550 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):由于其低导通电阻和高耐压特性,适合用于高效率的AC-DC和DC-DC转换器设计。
2. 马达驱动器:在直流马达控制、步进马达驱动等应用中,2SK3550可以提供稳定的高电流开关能力。
3. 逆变器和UPS系统:用于功率逆变电路中,实现高效能量转换。
4. 电池管理系统:在电池充放电控制电路中作为功率开关使用。
5. 工业自动化和控制设备:如变频器、伺服驱动器等场合,用于高可靠性的功率控制。
2SK2648, 2SK2013, IRF540N