制造商: SK Hynix
　　产品类型: NAND Flash
　　接口类型: 8位I/O
　　容量: 256MB
　　电压: 3.3V
　　封装类型: TSOP
　　引脚数: 52-pin
　　读取速度: 最大50MB/s
　　写入速度: 最大20MB/s
　　工作温度范围: 工业级（-40°C至+85°C）

HY27US08281M-TCB是一款基于NAND闪存技术的存储芯片，具有较高的存储容量和较快的读写速度。其8位并行I/O接口设计使其能够与多种嵌入式控制器和存储控制器兼容。该芯片的3.3V电源供电设计降低了功耗，同时保证了稳定的工作性能。TSOP封装形式不仅有助于节省PCB空间，还便于自动化生产和焊接。此外，该芯片支持ECC（错误校正码）功能，可以提高数据存储的可靠性。HY27US08281M-TCB的读取速度可达50MB/s，写入速度约为20MB/s，能够满足大多数嵌入式系统的存储需求。
　　该芯片还具备较强的环境适应性，能够在-40°C至+85°C的工业级温度范围内正常工作，适用于各种严苛的工业和车载环境。此外，HY27US08281M-TCB采用了先进的工艺技术，确保了较长的使用寿命和较高的数据保持能力。由于其广泛的应用背景，该芯片的驱动和控制方案较为成熟，开发者可以方便地找到相应的技术文档和开发工具。

HY27US08281M-TCB主要用于嵌入式系统、工业控制设备、车载导航系统、数字电视、便携式媒体播放器以及固态硬盘（SSD）等产品中。该芯片适用于需要大容量非易失性存储的场景，尤其适合对成本敏感且需要高可靠性的应用。例如，在工业自动化设备中，HY27US08281M-TCB可用于存储操作系统、固件和用户数据；在车载系统中，该芯片可作为导航数据和系统程序的存储介质；在消费类电子产品中，该芯片则可用于存储音频、视频等多媒体内容。

K9F2G08U0B-PCB0, TC58NVG1S3HFT0T