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FDD390N15A 发布时间 时间:2025/5/13 9:07:57 查看 阅读:2

FDD390N15A 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)生产的 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用 TO-220 封装,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于开关电源、电机驱动以及负载切换等应用领域。其耐压能力为 150V,能够承受较高的电压环境。
  该 MOSFET 的设计使其在高频开关条件下表现出色,同时具备良好的热性能,有助于提升系统的整体效率和可靠性。

参数

最大漏源电压:150V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:9.2A
  导通电阻(Rds(on)):0.24Ω
  栅极电荷:18nC
  开关时间(典型值):ton=28ns, toff=15ns
  结温范围:-55℃ 至 +150℃

特性

FDD390N15A 具有以下显著特性:  2. 导通电阻低至 0.24Ω,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  3. 快速开关能力,典型栅极电荷仅为 18nC,从而降低开关损耗。
  4. 采用标准的 TO-220 封装形式,便于安装和散热设计。
  5. 工作温度范围广,能够在 -55℃ 至 +150℃ 的环境中稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代工业要求。
  7. 高可靠性,在恶劣环境下仍能保持优良的电气性能。

应用

FDD390N15A 广泛应用于需要高效功率转换和控制的场合,具体包括:
  1. 开关电源(SMPS),如适配器、充电器及工业电源模块。
  2. 直流电机驱动电路,用于家用电器、电动工具和其他便携式设备。
  3. 负载切换和保护电路,例如电池管理系统中的电子保险丝。
  4. 照明应用中的 LED 驱动器和镇流器。
  5. 通信设备中的信号调节和功率放大模块。
  6. 工业自动化领域的继电器替代和电磁阀驱动。

替代型号

FDP5500, IRF540N, STP90NF10

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FDD390N15A参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C26A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C40 毫欧 @ 26A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs18.6nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1285pF @ 75V
  • 功率 - 最大63W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDD390N15ATR