IRFR3704ZTRPBF是英飞凌(Infineon)公司生产的MOSFET功率晶体管,采用N沟道增强型技术。该器件具有极低的导通电阻和出色的开关性能,适合应用于高效率的电源转换、电机驱动以及各种需要快速开关的应用场景。此外,IRFR3704ZTRPBF使用PowerTrench工艺制造,从而优化了其动态性能和热特性。
这款器件广泛适用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关、逆变器以及其他高频功率应用。
型号:IRFR3704ZTRPBF
类型:N沟道增强型MOSFET
封装:PQFN33 (5x6)
最大漏源电压Vds:20V
最大栅源电压Vgs:±20V
连续漏极电流Id:180A(@Tc=25°C)
导通电阻Rds(on):1.2mΩ(典型值,@Vgs=10V)
栅极电荷Qg:39nC(典型值)
输入电容Ciss:1930pF(典型值)
输出电容Coss:125pF(典型值)
工作温度范围:-55°C至175°C
IRFR3704ZTRPBF具备以下显著特点:
1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于减少传导损耗,提高系统效率。
2. 快速开关性能,使得该器件非常适合高频应用。
3. 高额定电流能力,支持大功率应用。
4. PQFN33小型封装,节省PCB空间,同时提供良好的散热性能。
5. 高温工作能力,确保在恶劣环境下的可靠运行。
6. 符合RoHS标准,环保设计。
IRFR3704ZTRPBF主要应用于以下领域:
1. DC-DC转换器中的主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动电路中的功率级开关。
3. 各类负载开关,用于控制不同负载的通断。
4. UPS不间断电源系统的功率输出级。
5. 电池管理系统中的充放电控制开关。
6. 太阳能逆变器和其他高频功率变换设备中的关键组件。
IRFR3704S, IRF3704