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IRFR3704ZTRPBF 发布时间 时间:2025/5/26 22:14:10 查看 阅读:14

IRFR3704ZTRPBF是英飞凌(Infineon)公司生产的MOSFET功率晶体管,采用N沟道增强型技术。该器件具有极低的导通电阻和出色的开关性能,适合应用于高效率的电源转换、电机驱动以及各种需要快速开关的应用场景。此外,IRFR3704ZTRPBF使用PowerTrench工艺制造,从而优化了其动态性能和热特性。
  这款器件广泛适用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关、逆变器以及其他高频功率应用。

参数

型号:IRFR3704ZTRPBF
  类型:N沟道增强型MOSFET
  封装:PQFN33 (5x6)
  最大漏源电压Vds:20V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  连续漏极电流Id:180A(@Tc=25°C)
  导通电阻Rds(on):1.2mΩ(典型值,@Vgs=10V)
  栅极电荷Qg:39nC(典型值)
  输入电容Ciss:1930pF(典型值)
  输出电容Coss:125pF(典型值)
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

IRFR3704ZTRPBF具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关性能,使得该器件非常适合高频应用。
  3. 高额定电流能力,支持大功率应用。
  4. PQFN33小型封装,节省PCB空间,同时提供良好的散热性能。
  5. 高温工作能力,确保在恶劣环境下的可靠运行。
  6. 符合RoHS标准,环保设计。

应用

IRFR3704ZTRPBF主要应用于以下领域:
  1. DC-DC转换器中的主开关或同步整流元件。
  2. 电机驱动电路中的功率级开关。
  3. 各类负载开关,用于控制不同负载的通断。
  4. UPS不间断电源系统的功率输出级。
  5. 电池管理系统中的充放电控制开关。
  6. 太阳能逆变器和其他高频功率变换设备中的关键组件。

替代型号

IRFR3704S, IRF3704

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IRFR3704ZTRPBF参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C60A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.4 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.55V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1190pF @ 10V
  • 功率 - 最大48W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFR3704ZTRPBF-NDIRFR3704ZTRPBFTR